| 发明名称 | 使用掺杂氧化物沟槽填充之沟槽绝缘 | ||
| 摘要 | 一种沟槽绝缘结构被形成于该基板内，一或更多开孔形成于该基板表面，及内衬层被沉积于至少沿该开孔的底部及侧壁。掺杂氧化物材料层被沉积于至少在该开孔，及该基板被退火以回焊该掺杂氧化物材料层，仅接近该基板表面的部分被自在该开孔内的掺杂氧化物材料层被移除，覆盖层被沉积于在该开孔的掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。 | ||
| 申请公布号 | CN1542941A | 申请公布日期 | 2004.11.03 |
| 申请号 | CN200410031266.9 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司;国际商业机器公司 | 发明人 | M·贝延斯基;O·格鲁斯臣科夫;A·克诺尔;C·帕克斯 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
| 主权项 | 1.一种形成沟槽绝缘结构于该基板的方法，该方法包括：形成至少一开孔于该基板的表面；至少沿该开孔的底部及侧壁沉积内衬层；沉积掺杂氧化物材料层至少于该开孔；退火该基板以回焊在该开孔内的该掺杂氧化物材料层；自在该开孔内的该掺杂氧化物材料层移除仅接近该基板的该表面的部分；及在该开孔，沉积覆盖层于该掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||