发明名称 |
Fault-tolerant solid state memory |
摘要 |
A solid state memory device is fabricated by forming a level of the device; identifying defective areas in the level; and programming address logic of the level to avoid the defective areas in the level.
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申请公布号 |
US2004213059(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.28 |
申请号 |
US20040846024 |
申请日期 |
2004.05.13 |
申请人 |
HOGAN JOSH N. |
发明人 |
HOGAN JOSH N. |
分类号 |
H01L27/10;G06F17/50;G11C29/00;G11C29/04;(IPC1-7):G11C7/00 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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