制造半导体集成电路器件的方法

摘要

一种半导体集成电路器件及其制造方法。被元件隔离沟槽包围的有源区的衬底表面，在有源区的中心部分是水平面，但在有源区的肩部向着元件隔离沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭，靠近元件隔离沟槽侧壁的第二斜面比第一斜面平缓。有源区肩部的衬底表面完全变圆，没有尖角部分。

主权项

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：(a)热氧化衬底，在由单晶硅构成的衬底表面上形成第一氧化硅膜，然后在第一氧化硅膜上形成抗氧化膜，腐蚀元件隔离区中的抗氧化膜和第一氧化硅膜，选择性暴露衬底的表面，在衬底表面露出时，过腐蚀所述衬底；(b)使第一氧化硅膜的端部向内凹下超过抗氧化膜的端部；(c)热氧化衬底，在上述步骤(b)中露出的衬底表面上，形成厚度大于第一氧化硅膜的第二氧化硅膜；(d)腐蚀第二氧化硅膜，露出元件隔离区中衬底的表面；(e)以与抗氧化膜自对准的方式腐蚀上述步骤(d)中露出的衬底，在元件隔离区的衬底中形成沟槽，并热氧化衬底，在沟槽内壁上形成第三氧化硅膜；(f)在沟槽内部和抗氧化膜上形成填充沟槽的第四氧化硅膜，然后利用抗氧化膜作停止层，抛光第四氧化硅膜，在元件隔离区的衬底中形成埋入有第四氧化硅膜的元件隔离沟槽；(g)去掉抗氧化膜，以及(h)通过腐蚀衬底暴露出其表面，在该衬底表面上形成栅绝缘膜，并在该栅绝缘膜上形成MISFET的栅极。