到栅极的自对准接触

摘要

本发明描述了涉及使用分开的掩模在有源区上形成多晶硅栅极接触孔以提供对电介质去除的足够控制，来产生至少深至栅极层但未深至结层的接触孔的方法、装置和系统。实施例包括通过定时接触刻蚀、通过两层电介质、通过加入电介质刻蚀停止层以及通过部分地将栅极层上的电介质或刻蚀停止层平面化来实现的自对准多晶硅接触。从而，即使失准，栅极接触孔的深度也足以到达有源区栅极，但不足以到达结区。结果，通过使用分开的掩模以及通过选择刻蚀到有源栅极的一段时间，可以在IC、半导体、MOS存储器单元、SRAM、闪存和其它各种存储器单元的制造期间形成栅极接触孔。

主权项

1.一种方法，包括：形成有源区；在所述有源区内形成栅控器件；以及在所述有源区中形成到所述栅控器件的栅极的接触。