c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法，该方法是采用脉冲激光沉积，以非晶SiO₂薄膜作为缓冲层在硅单晶衬底上生长c轴取向LiNbO₃晶体薄膜，其步骤如下：首先采用热氧化技术在硅衬底上生长出非晶SiO₂薄膜；然后以氧化后的硅为衬底，以等化学计量比LiNbO₃多晶陶瓷或富锂LiNbO₃多晶陶瓷为靶材，放入脉冲激光沉积设备的真空室中，靶材与衬底之间距离在3－5cm，通入高纯氧气进行沉积，氧压保持在10－50Pa，激光频率在1－7Hz，沉积温度在500℃－650℃，生长c轴取向LiNbO₃晶体薄膜。本发明方法制备工艺简单，所得LiNbO₃晶体薄膜具有良好的c轴择优取向性。

主权项

1、c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)将清洗后的硅单晶片放入退火炉中，在常压下持续通入高纯氧气进行氧化，氧化温度为800℃-1100℃，氧化时间1-8小时，生成非晶SiO2薄膜；(2)以氧化后的硅为衬底，以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材，放入脉冲激光沉积设备的真空室中，靶材与衬底之间距离在3-5cm，通入高纯氧气进行沉积，氧压保持在10-50Pa，激光频率在1-7Hz，沉积温度在500℃-650℃，生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜，沉积结束后，在40-80min降温至150℃，然后自然冷却至室温即可.降温过程中使真空室保持30Pa氧压。