半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种导通电阻低、具有高速开关特性的半导体器件。该半导体器件由如下部件构成：n－型外延层12；形成于n－型外延层12上的p型基极区域13；形成于p型基极区域13上的n+型源极区域14；沟道15，从n+型源极区域14的表面横穿该n+型源极区域14和p型基极区域13形成，贯穿n+型源极区域14，其深度比p型基极区域13的最深的底部浅，其底面下不存在p型基极区域13；经栅极绝缘膜17形成于沟道15的相对两侧面上、彼此分隔的栅极电极18；和经绝缘膜19形成于沟道15的两侧面上的栅极电极18间的导电性材料。

主权项

1、一种半导体器件，其特征在于：具备第1导电型的第1半导体层；形成于所述第1半导体层上的第2导电型的第2半导体区域；选择地形成于所述第2半导体区域上的第1导电型的第3半导体区域；沟道，从所述第3半导体区域的表面横穿所述第3半导体区域和所述第2半导体区域而形成，贯穿所述第3半导体区域，其深度比所述第2半导体区域的最深的底部浅，其底面下不存在第2半导体区域；经由栅极绝缘膜形成于所述沟道的相对的两侧面上、彼此分隔的栅极电极；和经由绝缘膜形成于所述沟道的两侧面上的所述栅极电极间的导电性材料。