发明名称 全光纤型N×N光开关及制作方法
摘要 本发明涉及一种全光纤型高速N×N光开关及制作方法,属于光通信领域。其特征在于它输入光纤层、输出光纤层和调制层构成,调制层位于输入光纤层和输出光纤层的重合部位,输入光纤层和输出光纤层之间夹角小于8°,中间添加一层折射率介于1.4-1.5,厚度为8-12um的聚合物层。输入光纤层和输出光纤层的光纤均粘结在V型槽陈列上,光纤直接作为输入和输出的耦合通道。采用化学机械抛光的技术和硅微机械加工工艺,可精确控制工艺,达到精确定位,提高输出和输入的耦合效率。本发明可用于大规模、高速全光交换。
申请公布号 CN1540374A 申请公布日期 2004.10.27
申请号 CN200310108350.1 申请日期 2003.10.31
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 吴亚明;屈红昌
分类号 G02B6/125;G02B6/28;H04B10/02 主分类号 G02B6/125
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1.一种全光纤型的N×N光开关,它由输入光纤层、输出光纤层和光调制层构成。其特征在于光调制层位于输入光纤层和输出光纤层的重合部位;输入光纤层和输出光纤层的光纤均粘结在V型槽陈列上,光纤直接作为输入和输出的耦合通道。
地址 200050上海市长宁区长宁路865号