| 主权项 |
1.一种横向电流阻障发光二极体(Light Emitting Diode;LED),至少包括:一基板;一第一电性半导体层,位于该基板上;一半导体磊晶结构,位于一部分之该第一电性半导体层上,且该半导体磊晶结构至少包括一主动层,其中该半导体磊晶结构中具有至少一凹槽,且该至少一凹槽之一深度至少达到该主动层;一第一电性金属电极垫,位于另一部分之该第一电性半导体层上;以及一第二电性金属电极垫,位于该半导体磊晶结构上,且该第一电性金属电极垫与该第二电性金属电极垫系位于该至少一凹槽之相异侧。2.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该基板之材质为蓝宝石(Sapphire)。3.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该第一电性半导体层以及该主动层之材质为氮化铝镓铟(AlxGa1-x)yIn1-yN(0≦x≦1;0≦y≦1)。4.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该主动层具有双异质结构或量子井结构。5.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该至少一凹槽之排列方式为单一放置、数个并排、或错开排列。6.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该至少一凹槽在该半导体磊晶结构之一表面之形状为圆形、方形、或椭圆形。7.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中形成该至少一凹槽之方式为乾式蚀刻、湿式蚀刻、雷射、水刀、或机械钻孔。8.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该至少一凹槽中更具有一介电质材料。9.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该半导体磊晶结构至少包括一第一电性夹层、该主动层、一第二电性夹层、一第二电性接触层、以及一第二电性透明电极之一堆叠结构。10.如申请专利范围第1项所述之横向电流阻障发光二极体,其中该基板与该第一电性半导体层间更具有一缓冲层。11.一种横向电流阻障发光二极体之制造方法,至少包括:提供一基板;形成一第一电性半导体层于该基板上;形成一半导体磊晶结构于该第一电性半导体层上;去除该半导体磊晶结构之一第一部分,藉以暴露该第一电性半导体层之一部分;去除该半导体磊晶结构之一第二部分,藉以在该半导体磊晶结构中形成至少一凹槽,其中该半导体磊晶结构至少包括一主动层,且该至少一凹槽之一深度至少达到该主动层;以及分别形成一第一电性金属电极垫与一第二电性金属电极垫于暴露之该第一电性半导体层之该部分上与该半导体磊晶结构之一第三部分上,其中该第一电性金属电极垫与该第二电性金属电极垫系位于该至少一凹槽之相异侧。12.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该基板之材质为蓝宝石。13.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该第一电性半导体层以及该主动层之材质为氮化铝镓铟(AlxGa1-x)yIn1-yN(0≦x≦1;0≦y≦1)。14.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该主动层具有双异质结构或量子井结构。15.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该至少一凹槽之排列方式为单一放置、数个并排、或错开排列。16.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该至少一凹槽在该半导体磊晶结构之一表面之形状为圆形、方形、或椭圆形。17.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中形成该至少一凹槽之方式为乾式蚀刻、湿式蚀刻、雷射、水刀、或机械钻孔。18.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中更包括形成一介电质材料于该至少一凹槽中。19.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中该半导体磊晶结构至少包括一第一电性夹层、该主动层、一第二电性夹层、以及一第二电性接触层之一堆叠结构。20.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中更包括于该基板与该第一电性半导体层间形成一缓冲层。21.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中形成该第一电性金属电极垫与该第二电性金属电极垫之方式为热蒸着(Thermal Evaporation)、电子束蒸镀(E-beam)、或离子溅镀Sputtering)。22.如申请专利范围第11项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中更包括于该半导体磊晶结构与该第二电性金属电极垫间形成一第二电性透明电极。23.如申请专利范围第22项所述之横向电流阻障发光二极体之制造方法,其中形成该第二电性透明电极之方式为热蒸着、电子束蒸镀、或离子溅镀。图式简单说明:第1A图系绘示第1B图中沿着a-a'剖面所形成的剖面示意图;第1B图系绘示习知氮化物发光二极体之上视示意图;第2A图系绘示第2B图中沿着b-b'剖面所形成的剖面示意图;第2B图系绘示本发明之一较佳实施例之具横向电流阻障之氮化物发光二极体之上视示意图;第3A图系绘示一习知InGaN LED之磊晶结构于制作电极后之上视示意图;第3B图系绘示第3A图之磊晶结构经过本发明中之凹槽蚀刻制程后所得之上视示意图,其中在20mA的注入电流条件下,且顺向电压Vf均为3.5V,光输出可以由原先的相对强度20.3增加至21.52(增加6.0%);第4A图系绘示另一习知InGaN LED之磊晶结构于制作电极后之上视示意图;第4B图系绘示第4A图之磊晶结构经过本发明中之凹槽蚀刻制程后所得之上视示意图,其中在20mA的注入电流条件下,且顺向电压Vf均为3.5V,光输出可以由原先的相对强度24.0增加至24.4(增加1.7%);第5A图系绘示又一习知InGaN LED之磊晶结构于制作电极后之上视示意图;以及第5B图系绘示第5A图之磊晶结构经过本发明中之凹槽蚀刻制程后所得之上视示意图,其中在20mA的注入电流条件下,且顺向电压Vf均为3.5V,光输出可以由原先的相对强度24.5增加至.25.5(增加4.1%)。 |
