可双频操作之低姿式单偶极天线

摘要

本发明系关于一种可双频操作之低姿式弯折单偶极天线的创新设计；此设计藉由在一个平面单偶极天线的辐射金属片上植入至少一狭缝，该狭缝由该辐射金属片之一边缘延伸至该辐射金属片之内部，俾在该辐射金属片形成一蜿蜒电流路径，而使该天线拥有较长的共振路径，同时该路径为该天线之二操作频率之电流路径；另外并将辐射金属片弯折成两个互相垂直或接近垂直的一第一金属面及一第二金属面，形成立体之结构，使得该天线的高度大幅降低，非常适合于行动通讯手机的应用上；本发明天线一实施例可含盖行动通讯系统GSM(890-960 MHz)及DCS(1710-1880 MHz)的频段范围，且其高度从手机接地面算起仅7 mm，可以适合安置或隐藏于手机外壳之内。

主权项

1.一种可双频操作之低姿式单偶极天线,包含:一弯折辐射金属片,包含:至少一狭缝,由该辐射金属片之一边缘延伸至该辐射金属片之内部,俾在该辐射金属片形成一蜿蜒电流路径,且该路径为该天线之二操作频率之电流路径;一第一金属面;及一第二金属面,该金属面之一边缘与第一金属面一边缘相接,二金属面并互相垂直或接近垂直;一馈入点;及一馈入金属线,连接馈入点至讯号端。2.如申请专利范围第1项所述之单偶极天线,其中弯折辐射金属片可以印制于微波介质基板或陶瓷介质层上。3.如申请专利范围第1项所述之单偶极天线,其中弯折辐射金属片可以由一具狭缝之金属片直接弯折形成,且其包围之区间可以是空气,或者是介电常数接近空气之介质,亦可以为陶瓷介质。4.如申请专利范围第1项所述之单偶极天线,其中二操作频率包含一高频及一低频,且为该天线的前二个共振频率。5.如申请专利范围第1项所述之单偶极天线,其中馈入金属线可以印制于微波介质基板或陶瓷介质层上。6.如申请专利范围第1项所述之单偶极天线,其中馈入金属线可以为一长条形金属片或一金属导线。图式简单说明:第1图为本发明天线一实施例结构图。第2图为本发明天线一实施例之返回损失的实验结果。第3图为本发明天线一实施例操作于GSM频带内天线增益的实验结果。第4图为本发明天线一实施例操作于DCS频带内天线增益的实验结果。第5图为本发明天线之弯折辐射金属片其它实施例结构图。