发明名称 可防止晶圆金属凸块氧化之结构
摘要 一种可防止晶圆金属凸块氧化之结构,该结构系藉由在一具有金属凸块之晶圆上涂布一保护层而完成,以防止该金属凸块表面被氧化,进而改善该金属凸块之电气连接特性。
申请公布号 TW200421585 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092108758 申请日期 2003.04.14
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 黄泰源;潘永腾;王启宇
分类号 H01L23/492 主分类号 H01L23/492
代理机构 代理人 花瑞铭
主权项
地址 高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号