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发明名称
可防止晶圆金属凸块氧化之结构
摘要
一种可防止晶圆金属凸块氧化之结构,该结构系藉由在一具有金属凸块之晶圆上涂布一保护层而完成,以防止该金属凸块表面被氧化,进而改善该金属凸块之电气连接特性。
申请公布号
TW200421585
申请公布日期
2004.10.16
申请号
TW092108758
申请日期
2003.04.14
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
黄泰源;潘永腾;王启宇
分类号
H01L23/492
主分类号
H01L23/492
代理机构
代理人
花瑞铭
主权项
地址
高雄市楠梓区加工出口区经三路二十六号
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