发明名称 制造结晶薄膜之制程
摘要 本发明提供一种制造结晶薄膜之制程,其特征为包含下列步骤:(A)备制一具有配置于预定位置上之特定区的薄膜,特定区系连续至一周围非特定区且与周围非特定区之融化或再固化性质不同;(B)局部地融化及再固化一包含薄膜中之特定区的部分区域;(C)局部地融化及再固化另一包含一非特定区之部分区域,其系与一由前述步骤中之再固化所结晶化的区域共有一共同边界。特定区之空间位置可被准确地决定。所得之结晶薄膜具有其形成于预定位置上之结晶微粒,而因此所形成之元件的波动被减小。
申请公布号 TW200421453 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092134901 申请日期 2003.12.10
申请人 佳能股份有限公司 发明人 云见日出也
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本