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发明名称 红外光光侦测器
摘要 导体层11：接收载子形成电流包含五层锗量子点的p型半导体层12：形成量子井，点用来局限载子于位障内绝缘层13：形成量子穿隧效应电压源14：提供偏压以驱动载子矽基板121：成长元件之基板矽缓冲层122：方便之后各层成长锗量子层123：能隙不同形成位障锗量子点124：能隙不同形成位障矽中介层125：能隙不同形成位障矽被覆层126：保护锗量子层并有助于绝缘层成长
申请公布号 TW200421603 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092108185 申请日期 2003.04.10
申请人 国立台湾大学 发明人 许博钦;张书通;黄仕澔;刘致为
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人
主权项
地址 台北市大安区罗斯福路四段一号
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