| 摘要 |
本发明关于一种局部蚀刻闸极之半导体结构的制作方法，包括：提供一半导体基底，于该半导体基底上具有至少两邻近之闸极结构，其中上述闸极结构系由形成于半导体基底之一闸极介电层、一闸极导电层以及一上盖层所构成，且上述闸极结构之各侧边覆盖有一衬垫层；依序形成一保护层及一罩幕层于上述闸极结构上；于罩幕层内定义出至少一开口，并蚀刻部份上述开口内之该保护层，以部份露出开口内两邻近闸极结构单一侧边上之衬垫层；蚀刻去除上述部份露出之衬垫层，且可选择地部份去除邻近此些露出衬垫层之闸极导电层；去除罩幕层及保护层；以及形成一侧壁子覆盖于上述闸极结构各侧壁上，以形成复数个单一侧边具有局部蚀刻之闸极结构。此外，本发明亦提供了上述之一种具有局部蚀刻闸极之半导体结构。 |
