发明名称 Tin antimony solder for MOSFET with TiNiAg back metal
摘要 A semiconductor device is disclosed containing a semiconductor die having a trimetal electrode soldered to a substrate by a Sn-Sb solder.
申请公布号 US2004200886(A1) 申请公布日期 2004.10.14
申请号 US20030410719 申请日期 2003.04.09
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORP. 发明人 CHEAH CHUAN
分类号 B23K35/26;H01L21/60;H01L23/482;(IPC1-7):H01L29/12;B23K31/02 主分类号 B23K35/26
代理机构 代理人
主权项
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