主权项 |
1、一种非挥发性存储单元阵列的操作方法,该非挥发性存储单元阵列包括复数个存储单元列,各该存储单元列中的该些存储单元串联连接于一第一选择晶体管与一第二选择晶体管之间;各该存储单元至少包括具一基底、一源极区、一漏极区、一电荷陷入层与一栅极;复数字元线在行方向平行排列,且连接同一行的该些存储单元的该栅极;复数上位线分别连接各该些第一选择晶体管的源极;复数下位线分别连接各该些第二选择晶体管的漏极;一第一选择栅极线连接同一行的该些第一选择晶体管的栅极,一第二选择栅极线连接同一行的该些第二选择晶体管的栅极;其特征在于该方法包括:在进行抹除操作时,于该些字符线上施加一第一电压,于该些存储单元的该基底上施加一第二电压,该第一电压与该第二电压的电压差足以使电子注入该些存储单元的该电荷陷入层,以进行整个存储单元阵列的抹除;进行程序化操作时,于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加一第三电压,非选定该些字符线上施加一第四电压,以打开该些存储单元的信道,于选定的该上位线施加一第五电压,非选定该些上位线与该些下位线施加一第六电压,以利用热电洞注入效应程序化该存储单元的一源极侧位;以及进行读取操作时,于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加一第七电压,非选定该些字符线上施加一第八电压,以打开该些存储单元的信道,于选定的该下位线施加一第九电压,非选定该些上位线与该些下位线施加一第十电压,以读取该存储单元的该源极侧位。 |