| 发明名称 | 一种制备绝缘体上硅结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种制备绝缘体上硅结构的方法，所述的方法属于半导体器件制备工艺。本发明利用化学汽相沉淀方法，在绝缘层上生长一层富氢微晶硅薄膜，从而形成性能良好的绝缘体上硅结构，本发明所述的方法与传统的集成电路工艺兼容，工艺简单，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN1536622A | 申请公布日期 | 2004.10.13 |
| 申请号 | CN03116332.7 | 申请日期 | 2003.04.11 |
| 申请人 | 上海鸿宇纳米科技发展有限公司 | 发明人 | 刘宏;刘晓晗;刘明 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人 | 严新德 |
| 主权项 | 1、一种制备绝缘体上硅结构的方法，主要由绝缘体上硅工艺组成，所述的绝缘体上硅工艺是在绝缘体上制备半导体层的方法，其特征在于：所述的半导体层是富氢微晶硅薄膜层，所述富氢微晶硅薄膜层中氢含量至少为5×1020原子/cm3，所述的绝缘体是二氧化硅层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路518号B楼211 | ||