| 主权项 |
1.一种高通滤波器,包含:一电容;一第一电晶体,其第一端连接至一第一电压源,其第二端连接至该电容;及一第二电晶体,其第一端连接至该第一电晶体之第二端,其第二端接地;其中该高通滤波器之时间常数系由该第一电晶体与该第二电晶体所决定。2.如申请专利范围第1项所述之高通滤波器,其中该第一电晶体为一n型电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之高通滤波器,其中该第二电晶体为一p型电晶体。4.如申请专利范围第1项所述之高通滤波器,其另包含有一第二电压源连接到该第一与第二电晶体的第三端,以致使该第一与第二电晶体能在一饱和模式下运作。5.如申请专利范围第4项所述之高通滤波器,其中该第二电压源包含有:一第三电晶体,其第一端连接至该第一电压源,其第二端连接至该第一与第二电晶体的第三端,其第三端连接至其第二端;以及一第四电晶体,其第一端连接至该第一电晶体的第二端,其第二端接地,其第三端连接至其第一端。6.如申请专利范围第4项所述之高通滤波器,其中该第二电压源包含有:一第三电晶体,包含有一第一端、一第二端、及一第三端,其第一端连接至该第一电压源;一第四电晶体,包含有一第一端、一第二端、及一第三端,其第一端连接至该第一电晶体的第二端,其第二端接地;以及一放大器,其第一输入端连接至该第一电晶体的第二端,其第二输入端连接至一偏压源,其输出端连接至该第一、第二、第三、第四电晶体的第三端。7.如申请专利范围第1项所述之高通滤波器,其中该高通滤波器系内建于一晶片中。8.如申请专利范围第1项所述之高通滤波器,其中该第一与第二电晶体能在一饱和模式下运作。图式简单说明:图一为习知技术中之高通滤波器的示意图。图二为本发明之高通滤波器的示意图。图三为图二中之高通滤波器具备一偏压复制电压源的示意图。图四为图三中之高通滤波器的频率响应图。图五为图二中之高通滤波器具备一可变式偏压复制电压源的示意图。图六为图三中的高通滤波器之差动式的示意图。图七为图五中的高通滤波器之差动式的示意图。 |
