| 主权项 |
1.一种蚀刻氧化矽层之方法,包含步骤为:将一种半导体基材导至一电浆蚀刻反应器内,该半导体基材包含一种位于氧化矽层下之导电或半导电层;及蚀刻氧化矽层以露出导电或半导电层,并提供自氧化矽层通至该导电或半导电层之开口,该开口系小于0.3微米且纵横比为至少5:1,该蚀刻作用系将氧化矽层露于电浆蚀刻反应器中之呈离子化状态的无氢蚀刻气体下进行,该蚀刻气体包括氟碳、氮与氧反应物及惰性载气,氧与氮之存量系有效于避免聚合物累积在蚀刻步骤期间于开口中造成蚀刻止点。2.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化矽层包含经掺杂或未经掺杂之二氧化矽。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤系于中密度电浆反应器中进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中系以无弯曲方式蚀刻开口,同时提供纵横比至多为10:1之开口。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻气体主要由C4F8、氩、氮与氧组成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电或半导电层包含一种含金属层,其选自包括经掺杂与未经掺杂多晶或单晶矽、铝、铜、钛、钨、钼或其合金、氮化钛、矽化钛、矽化钨、矽化钴及矽化钼所组成者。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该开口系0.25微米或更小型开口。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该氟碳气体包含无氢之CnFm,其中n至少为2且m大于n。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该载气系选自Ar、He、Ne、Kr、Xe或其混合物组成者。10.如申请专利范围第1项之方法,其中以3至15 sccm之流速将氧供应至该电浆反应器。11.如申请专利范围第1项之方法,其中以1至100 sccm之流速将氮供应至该电浆反应器。12.如申请专利范围第1项之方法,其中以3至15 sccm之流速将氟碳气体供应至该电浆反应器。13.如申请专利范围第1项之方法,其中分别以5至10sccm、5至10 sccm及20至60 sccm流速将氟碳、氧与氮气体供应至该电浆反应器。14.如申请专利范围第1项之方法,蚀刻步骤后另外以金属装填该开口。15.如申请专利范围第1项之方法,其中进行该蚀刻步骤直到达到200%过蚀刻为止。16.如申请专利范围第1项之方法,另外包含在氧化矽层上形成光阻、该光阻层制图形成数个开口之步骤,蚀刻步骤在该氧化矽中形成通孔与接点开口。17.如申请专利范围第1项之方法,其中形成纵横比至少5:1之开口。18.如申请专利范围第1项之方法,其中于蚀刻步骤期间,蚀刻气体中之氧与沉积于该开口之聚合物反应并且形成CO,蚀刻气体中之氮与沉积于该开口中之聚合物反应并形成CN。19.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻步骤期间该电浆反应器之压力小于200毫托耳。20.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻期间该半导体基材包含一种矽晶圆,而该晶圆保持不高于130℃温度。图式简单说明:图1a与b分别显示在矽晶圆上使用本发明电浆气体化学组成之中间与边缘位置二氧化矽中所形成之接点开口轮廓;图2a与b分别显示重复研究期间矽晶圆之中间与边缘位置二氧化矽中所形成之接点开口轮廓,其中在一个马拉松式运转回合中使用本发明电浆气体化学组成处理25个晶圆;以及图3显示使用本发明较佳气体化学组成在矽晶圆中央于二氧化矽中形成之接点开口轮廓。 |
