| 主权项 |
1.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置,包含:一半导体晶片,具有一可在其上形成一感应部件之表面;及一密封树脂部件,其包封住该半导体晶片,其中该感应部件在该密封树脂部件中所形成之一开口的一底部露出,且该开口的底部的一边缘与该感应部件的一边缘之间的一距离为0.3公厘至0.1公厘。2.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置,包含:一半导体晶片,具有一可在其上形成一感应部件一密封树脂部件,其包封住该半导体晶片,其中该感应部件在该密封树脂部件中所形成之一开口的一底部露出;该开口的底部具有由一第一表面及比该第一表面更高的一第二表面所形成之一阶部,该感应部件在该第一表面上露出;且在与该感应部件的一表面垂直之一方向中该第一表面与该第二表面之间的一距离为70微米至150微米。3.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置,包含:一半导体晶片,具有一可在其上形成一感应部件之表面;及一密封树脂部件,其包封住该半导体晶片,其中该感应部件及该半导体晶片的一表面的一部份系在该密封树脂部件中所形成之一开口的一底部路出,且用于在该手指的一移动方向中形成该开口之该密封树脂部件的一部份系为位于设有该半导体晶片的一暴露表面的相同平面内之一平坦表面。4.如申请专利范围第3项之指纹感应装置,其中一突部形成为该密封树脂部件的一部份,该突部系沿着该半导体晶片的暴露表面与该密封树脂部件的平坦表面之间的一边界面延伸且跨坐其上。5.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置,包含:一半导体晶片,具有一可在其上形成一感应部件之表面;及一密封树脂部件,其包封住该半导体晶片,其中该感应部件及该半导体晶片的一表面的一部份系在该密封树脂部件中所形成之一开口的一底部露出,上用于在该手指的一移动方向中形成该开口之该密封树脂部件的二部份系低于该密封树脂部件的其他部份但高于该半导体晶片的一暴露表面。6.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置之制造方法,包含以下步骤:将一间隔件附接至一模子压模的一预定位置上用以树脂模制一半导体晶片,该半导体晶片具有一可在其上形成一感应部件之表面,该间隔件具有比该感应部件的宽度更大一段预定长度之一宽度;及将该半导体晶片放置在该模子压模内,及以一种使该间隔件覆盖住该半导体晶片的感应部件之状态来树脂模制该半导体晶片。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该间隔件覆盖住该感应部件的全体宽度,且在宽度方向中延伸超过该感应部件的一边缘之该间隔件的一部份系为0.3公厘至1.0公厘。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该间隔件覆盖住该感应部件的全体宽度,且延伸超过该感应部件的一边缘之该间隔件的一部份系延伸超过该半导体晶片之一表面的一边缘。9.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置之制造方法,包含以下步骤:将一具有一预定厚度的保护膜施加在一半导体晶片的一表面的一部份以及该半导体晶片的表面上所形成之一感应部件的上方;将该半导体晶片放置在该模子压模内,及以一种使该保护胶带覆盖该半导体晶片的感应部件之状态来树脂模制该半导体晶片;及在树脂模制之后从该半导体晶片以剥除方式移除该保护膜以暴露该感应部件及该半导体晶片之表面的该部份。10.一种用于藉由接触一手指来辨识一指纹的一图案之指纹感应装置之制造方法,包含以下步骤:将一具有一预定厚度的感光树脂膜形成于一半导体晶片的一表面的一部份以及该半导体晶片的表面上所形成之一感应部件的上方;将该半导体晶片放置在该模子压模内,及以一种使该感光树脂膜覆盖该半导体晶片的感应部件之状态来树脂模制该半导体晶片;及在树脂模制之后从该半导体晶片以暴光方式移除该保护膜以暴露该感应部件及该半导体晶片之表面的该部份。图式简单说明:第1图为一种习知指纹感应装置的制造程序中之一树脂包封程序的剖视图;第2图为一种指纹感应装置的剖视图,其以一种使一密封树脂进入一感应部件与一间隔件之间的状态进行模制;第3图为根据本发明第一实施例之一指纹感应装置的剖视图;第4图为第3图所示的指纹感应装置的制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序之剖视图;第5图为根据第二实施例之一指纹感应装置的剖视图;第6图为第5图所示的指纹感应装置之制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序之剖视图;第7图为用于说明一扫掠型指纹感应装置之剖视图;第8图为根据本发明第三实施例之一指纹感应装置的剖视图;第9图为第8图所示之指纹感应装置的制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序的剖视图;第10图为根据第三实施例之指纹感应装置的一变化方式之剖视图;第11图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序的剖视图;第12图为根据本发明第四实施例之指纹感应装置的剖视图;第13图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中进行一半导体晶片的树脂模制前之一制备程序的剖视图;第14图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序之剖视图;第15图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中形成一感光树脂膜的程序之剖视图;第16图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中一半导体晶片进行一树脂模制程序之剖视图;第17图为第10图所示之指纹感应装置的制造程序中树脂模制后的一暴光程序之剖视图。 |
