| 主权项 |
1.一种于矽绝缘基板主形成可程式唯读记忆单元的方法,包括下列步骤:提供一矽绝缘基底;对该矽绝缘基底表面进行离子植入步骤以形成一井区;于该矽绝缘基底上形成一介电层;于该介电层上形成一掺杂导电层以作为闸极,该掺杂导电层与该井区之电性相异,其中该掺杂导电层与该井区共同形成一记忆单元;及对该记忆单元施加一电位以破坏该介电层使该掺杂导电层与该井区导通,或不对该记忆单元施加该电位以保留该掺杂导电层与该井区间之该介电层以使该记忆单元断路。2.如申请专利范围第1项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该井区为n+型,该掺杂导电层为p+型。3.如申请专利范围第1项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该井区为P型,该掺杂导电层为N型。4.如申请专利范围第1项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该介电层为闸极氧化层。5.如申请专利范围第1项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该导电层为多晶矽层。6.一种于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,包括下列步骤:提供一矽绝缘基底;于该矽绝缘基底上依序形成一罩幕层;依序蚀刻该罩幕层及该矽绝缘基底以形成一沟槽;于该沟槽填入一绝缘层以形成一隔离区;去除该罩幕层;对该矽绝缘基底进行第一次离子植入步骤以形成一井区;于该矽绝缘基底上形成一闸极介电层;于该闸极介电层上形成一导电层;对该导电层进行第二次离子植入步骤以形成一掺杂导电层,该掺杂导电层用以作为闸极,该掺杂导电层与该井区之电性相异,其中该掺杂导电层与该井区共同形成一记忆单元;及对该记忆单元施加一电位以破坏该记忆单元中之闸极介电层使该记忆单元形成一二极体,或不对该记忆单元施加该电位以保留该记忆单元中之闸极介电层以使该记忆单元断路。7.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该罩幕层为氧化层或氮化层或其组合层。8.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该绝缘层为氧化层。9.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该井区为N型,该掺杂导电层为P型。10.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该井区为P型,该掺杂导电层为N型。11.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该闸极介电层为闸极氧化层。12.如申请专利范围第6项所述之于矽绝缘基板上形成可程式唯读记忆单元的方法,其中该导电层为多晶矽层。图式简单说明:第1a-1l图系本发明之于矽绝缘基板制作可程式唯读记忆体之方法之切面示意图。第2图系第1l图之俯视图。 |
