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1.一种用以控制处理装置之方法,包含之步骤为: 获得用以处理被处理物自体之处理装置之一输入 値和藉测量在处理装置中之被处理之物自体所获 得之一测量値之间之误差値,在减小该误差値之方 向中计算用以改正处理装置之输入値之改正値,以 及处理该位作为在计算下一改正値上予以运用之 处理资料, 该方法另包含之步骤为: 搜寻有历史相同于载入至该处理装置之物自体者 之先前处理资料: 自有相同历史之该所搜寻之先前处理资料中之最 近之多个先前改正値来预测一现时偏压改正値; 在该该先前处理资料内之最近之多个先前RAND改正 値之基础上,藉类神经网路之装置,预测一现时RAND 改正値; 将预测偏压改正値和RAND改正値相加起来作为该处 理装置之现时改正値;以及 藉利用该误差値,使该类神经网路学习用以追纵该 RAND改正値之变化。 2.如申请专利范围第1项之用以控制处理装置之方 法,其中预测该现时偏压改正値之步骤系藉一剖面 线性加权平均算法之方式来实施者经界定如下列 方程式: 此处一基准字母Xbias表示偏压改正値,W表示一剖面 ,以及Xsh表示有相同历史之该先前之偏压改正値。 3.如申请专利范围第1项之用以控制处理装置之方 法,其中该类神经网路系包含多层辨认器,以及此 学习方法系属一种误差回播系统。 4.如申请专利范围第1项之用以控制处理装置之方 法,其中该处理装置系包含多样种类及小规模生产 系统中之一半导体装置之制造装置。 5.一种用以控制光刻装置之方法,其中包含之步骤 为: 获得用以处理一晶片上面之照相抗蚀剂之光刻装 置之输入値和藉测量听候于一曝光之照相抗蚀剂 图形所获得之一测量値之间之误差値,以及藉重叠 测量仪表之装置在该处理装置中之一开发;计算在 降低该误差値之方向中用以改正该输入値之改正 値;以及在用以利用该値于计算下一改正値中之生 产时间单元内分配光刻处理资料, 该方法另包含下列步骤: 搜寻有一历史相同于经载入该光刻装置之新份量 者之先前处理资料; 从出自有此搜寻之相同历史之所搜寻之先前处理 资料之最近之多个先前改正値,预测一现时改正値 之偏压分量; 在出自先前处理资料之最近之多个先前RAND改正値 之基础上藉类神经网路之装置预测现时RAND改正値 之RAND分量; 将预测之偏压分量和RAND分量相加,作为该光刻装 置之一现时改正値;以及 藉利用该误差値使类神经网路学习用以追纵RAND分 量之变化。 6.如申请专利范围第5项之用以控制光刻装置之方 法,其中预测该现时改正値之偏压部分之步骤系藉 一剖面线性加权平均算法之方式来实施者经界定 如下列方程式: 此处一基准字母Xbias表示改正値之偏压分量,W表示 一剖面,以及Xsh表示先前偏压分量之有相同历史者 。 7.如申请专利范围第6项之用以控制光刻装置之方 法,其中该剖面系10。 8.如申请专利范围第5项之用以控制光刻装置之方 法,其中在该搜寻步骤中,有相同标线片,PPID、base I 和base II之资料系历史构成成份者,系作为相同历 史处理资料来探测。 9.如申请专利范围第8项之用以控制光刻装置之方 法,其中,如果在该搜寻步骤中没有相同历史之处 理资料存在时,该改正値之偏压部分系依照有相同 标线片成份之处理资料中间之多个其余成份而作 猜测。 10.如申请专利范围第9项之用以控制光刻装置之方 法,其中该猜测方法包含之步骤为: 抽取有历史构成成份中间任何一不同者之处理资 料; 藉使用具有单一不同构成成份之抽取之处理资料 中间任何一个构成成份之一相关値而猜测改正値 之偏压分量;以及 如果该偏压分量不能由该相关値之方法来计算时, 藉获得具有单一不同构成成份之该抽取之处理资 料之一平均値来猜测该改正値之偏压分量。 11.如申请专利范围第10项之用以控制光刻装置之 方法,其中优先次序系自BASE II、BASE I以及随后PPID 行使最小影响之顺序中来提供。 12.如申请专利范围第10项之用以控制光刻装置之 方法,当即令该偏压分量不能被猜测时,另包含请 求一抽样程序之进行之步骤。 13.如申请专利范围第5项之用以控制光刻装置之方 法,其中该类神经网路系包含多层辨认器,以及此 学习方法系属一误差回播方法。 14.如申请专利范围第13项之用以控制光刻装置之 方法,其中该多层之辨认器包含: 一输入层有三个输入节点; 一输出层有一个输出节点;以及 一三层之隐藏层在该输入层和输出层之间。 15.如申请专利范围第14项之用以控制光刻装置之 方法,其中该隐藏层之神经元引用S型函数作为一 转移函数。 16.如申请专利范围第14项之用以控制光刻装置之 方法,其中该输出层之神经元引用一线性函数作为 一转移函数。 17.一种用以控制光刻装置之方法,包含之步骤为: 获得在用以实施一晶片上面之照相抗蚀剂上之光 刻之该光刻装置之输入値和藉测量听候于一曝光 之照相抗蚀剂图形所获得之一测量値之间之一误 差値以及经由一重叠测量仪器在该光刻装置中之 开展;在减小该误差値之方向中计算用以改正该输 入値之一改正値;以及在用以利用该値于计算下一 改正値之生产时间单元内分配光刻处理资料, 该方法另包含之步骤为: 搜寻先前处理资料之有历史构成成份(标线片,PPID 、BASE I和BASE II)相同于那些载入至该光刻装置之 新份量者, 从出自有相同历史之搜寻之先前处理资料之最近 之多个先前改正値预测现时改正値之偏压分量; 当没有先处理资料具有该相同历史者存在时,抽取 该历史构成成份中间具有除了标线片以外之一种 不同构成成份之处理资料; 藉出自具有所抽取之单一不同构成成份之处理资 料之一定构成成份之相关値之方法,猜测该改正値 之偏压分量; 当该偏压分量不能以使用该相关値计算时,猜测具 有该抽取之要予猜测之单一不同构成成份之该处 理资料之一平均値作为该改正値之偏压分量; 在出自先前处理资料之最近之多个先前RAND改正値 之基础上,藉一类神经网路之装置,预测该现时改 正値之一RAND分量; 将该预期之偏压分量和RAND分量相加作为该光刻装 置之一现时改正値;以及 藉利用该误差値,使类神经网路学习用以追纵RAND 改正値之变化。 18.如申请专利范围第17项之用以控制光刻装置之 方法,其中,在该猜测步骤中,该优先次序系自BASE I 、BASE II,以及随后PPID之行使最小影响之顺序中来 提供。 图式简单说明: 第1图系一方块图,显示依照本发明之一具体例之 用以控制一光刻装置之系统; 第2图系一视图,用以说明重叠度量仪表之测量参 数; 第3图系一视图,显示光刻装置之简略构造; 第4图系一视图,显示自重叠度量仪表下行至重叠 改正控制器之测量资料格式; 第5图系一视图,显示自重叠改正控制器至分级器 所接收之一改正资料格式; 第6图系一测绘图,表示依照时间之差错之分级器 之改正値之变化; 第7图系一测绘图,表示每一相同历史之第6图之改 正値之再处理之一状态; 第8图系一测绘图,显示自第7图之改正値减去相同 历史之平均値(偏压値)之一状态; 第9图系一测绘图,表示依照以分级器之偏离-X为准 之时间此改正値之变化状况; 第10图系一测绘图,表示第9图之改正値之频率波谱 ; 第11图系一视图,显示依照本发明之类神经网路之 一范例; 第12至第20图系流程图,用以说明依照本发明之预 测重叠改正控制器之改正値之操作; 第21至第25图系藉比较依照本发明之重叠改正控制 器之测量误差分布与传统式控制器者所获得之测 绘图;以及 第26至第35图系藉分析应用依照本发明之重叠改正 -控制算法至实际装置之结果所获得之测绘图。 |
