| 主权项 |
1.一种安装有至少一半导体积体电路(晶片)的半导 体装置,包含: 至少一半导体晶片,安装在一基板之上;及 至少一散热用导体,介设于该至少一半导体晶片与 该基板之间,且为了设置一接地电位而使其电连于 该基板的一接地线,故该至少一散热用导体不仅足 以消散该至少一半导体晶片所生之热、更可阻挡 对该至少一半导体晶片有负面影响的电磁杂讯。 2.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该半导体装置系具有叠置于与该基板之表面垂直 的方向上之复数个半导体晶片。 3.如申请专利范围第2项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该复数之半导体晶片系包括一第一半导体晶片及 一第二半导体晶片,并将该第一与第二半导体晶片 堆叠成彼此相邻,且该第一与第二半导体晶片之电 路形成面皆面朝上地与该基板隔开;及 在该第一半导体晶片与该第二半导体晶片之间介 设该至少一散热用导体。 4.如申请专利范围第2项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 藉由复数之信号线而使各半导体晶片电连于该基 板;及 藉由至少一接地线而使该至少一散热用导体连接 于该基板。 5.如申请专利范围第2项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该复数之半导体晶片系包括一第一半导体晶片及 一第二半导体晶片,并将该第一与第二半导体晶片 堆叠成彼此相邻,且该第一与第二半导体晶片之电 路形成面彼此相对;及 在该第一半导体晶片与该第二半导体晶片之间介 设该至少一散热用导体。 6.如申请专利范围第5项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该至少一散热用导体具有一叠层状结构,该叠层状 结构更包含: 至少一散热用导电层,电连于该基板之接地线且足 以导热;及 至少一连接用配线层,用以使一基板导体与其中一 个半导体晶片的至少一端点互相电连。 7.如申请专利范围第5项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该至少一散热用导体具有一叠层状结构,该叠层状 结构更包含: 至少一散热用导电层,电连于该基板之接地线且足 以导热; 至少一连接用配线层,用以使该第一及第二半导体 晶片的对应端点互相电连。 8.如申请专利范围第5项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 经由该至少一散热用导体之中的开口部而使该第 一与第二半导体晶片直接电连。 9.如申请专利范围第5项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 藉由至少一引线而使最靠近该基板的半导体晶片 电连于该基板。 10.如申请专利范围第2项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 至少一个半导体晶片之中形成有数位电路,且其余 的半导体晶片之中形成有类比电路。 11.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该至少一散热用导体包括一金属片。 12.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该至少一散热用导体包括形成有至少一金属层的 薄片构件。 13.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 在该基板之上表面的整个周边形成该接地线。 14.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 实际使一散热构件连接于该接地线,并将该散热构 件设置在该半导体装置的侧面;及 使用一树脂性材料密封该半导体装置,并使至少一 部份之散热构件外露。 15.如申请专利范围第1项之安装有至少一半导体积 体电路(晶片)的半导体装置,其中: 该至少一散热用导体系选择自由导电板、导电片 、金属片、金属板、一具有屏蔽部且其转角处形 成有至少一引脚部的导电片、一具有屏蔽部且其 边缘形成有至少一引脚部的导电片、一具有散热 用导电层及用以使第一半导体晶片与第二半导体 晶片电连之至少一配线层所构成的叠层状结构、 一具有散热用导电层及用以使第一半导体晶片与 第二半导体晶片直接电连的复数之连接用孔部所 构成的叠层状结构、一具有散热用导电层及用以 使至少一个半导体晶片与基板接点互相电连之至 少一配线层所构成的叠层状结构、一含铝结构、 一含铜结构、一含铬结构、及一含银结构所组成 的组合之一者。 16.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤: 一安装步骤,利用一黏性材料将一第一半导体积体 电路(晶片)安装于一基板的一安装部; 一插入步骤,在不考虑存在于该基板与该第一半导 体晶片之间的倾斜程度之情况下,使至少一突出的 吸取构件穿过该基板之中的至少一开口部而插入 其中,俾透过吸持而水平地支撑该第一半导体晶片 ;及 一降低步骤,降低一平行着该第一半导体晶片的第 二半导体晶片,俾能使该第二半导体晶片的电极与 所对应之该第一半导体晶片的电极得以电性接触 。 17.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方 法,其中: 该基板具有一引线框,而该引线框具有一小于该第 一半导体晶片的安装部,并在该引线框之安装部的 周围形成至少一开口部。 18.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方 法,其中: 该基板具有一印刷配线板的结构,并在其中预先形 成至少一开口部。 19.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方 法,更包含以下步骤: 在进行降低该第二半导体晶片的该降低步骤之前, 先降低平行着该第一半导体晶片之一散热用导体 至该第一半导体晶片的上方位置;及 降低该第二半导体晶片的该降低步骤更包含使该 第二半导体晶片平行着该散热用导体。 20.如申请专利范围第19项之半导体装置的制造方 法,其中: 该第一半导体晶片系具有第一连接用端点; 使该第二半导体晶片平行着该散热用导体的步骤 更包含定位该散热用导体,俾能使形成于其中的连 接用孔部与该第一连接用端点对齐;及 降低该第二半导体晶片的该降低步骤更包含定位 该第二半导体晶片,俾能使形成在其上的第二连接 用端点穿过该连接用孔部而与所对应的第一连接 用端点接触。 21.如申请专利范围第19项之半导体装置的制造方 法,其中: 该散热用导体系选择自由导电板、导电片、金属 片、金属板、一具有屏蔽部且其转角处形成有至 少一引脚部的导电片、一具有屏蔽部且其边缘形 成有至少一引脚部的导电片、一具有散热用导电 层及用以使第一半导体晶片与第二半导体晶片电 连之至少一配线层所构成的叠层状结构、一具有 散热用导电层及用以使第一半导体晶片与第二半 导体晶片直接电连的复数之连接用孔部所构成的 叠层状结构、一具有散热用导电层及用以使至少 一个半导体晶片与基板接点互相电连之至少一配 线层所构成的叠层状结构、一含铝结构、一含铜 结构、一含铬结构、及一含银结构所组成的组合 之一者。 图式简单说明: 图1为本发明之第一实施例的半导体装置之横剖面 图。 图2为本发明之第二实施例的半导体装置之横剖面 图。 图3为本发明之第三实施例的半导体装置之横剖面 图。 图4为沿着图3之剖面线A-A所形成的半导体装置之 局部切开平面图。 图5为本发明之第三实施例之中的散热用导电片之 横剖面图。 图6为本发明之第四实施例的半导体装置之横剖面 图。 图7为沿着图6之剖面线B-B所形成的半导体装置之 局部切开平面图。 图8为本发明之第四实施例之中的散热用导电片之 横剖面图,并显示穿过下层的半导体晶片与上层的 半导体晶片之间的散热用导电片之接点配置型态 。 图9为本发明之第五实施例的半导体装置之横剖面 图。 图10为沿着图9之剖面线C-C所形成的半导体装置之 局部切开平面图。 图11为本发明之第五实施例之中的散热用导电片 之横剖面图,并显示穿过下层的半导体晶片与上层 的半导体晶片之间的散热用导电片之接点配置型 态。 图12为本发明之第六实施例的半导体装置之制造 方法的横剖面图。 图13为适用于本发明之第六实施例的安装装置之 横剖面图。 图14为本发明之第六实施例的半导体装置之制造 方法所采用之基板的底视平面图。 图15(a)及图15(b)为本发明之第六实施例的半导体装 置之制造步骤的横剖面图。 图16(a)及图16(b)为本发明之第六实施例的半导体装 置之制造步骤的横剖面图。 图17(a)及图17(b)为本发明之第六实施例的半导体装 置之制造步骤的横剖面图。 图18为沿着图16(a)之剖面线D-D所形成之剖面上视图 。 图19为本发明之第七实施例的半导体装置之制造 方法的横剖面图。 图20(a)及图20(b)为本发明之第七实施例的半导体装 置之制造步骤的横剖面图。 图21为本发明之第一实施例的半导体装置之一变 化例的横剖面图。 图22为习知仅安装单一半导体晶片之半导体装置 的横剖面图。 图23为本发明之第一实施例的另一变化例之半导 体装置的横剖面图。 图24为本发明之散热用导电片之一变化例的横剖 面图。 图25为本发明之第四实施例的半导体装置之一变 化例的横剖面图。 图26为适用于本发明之第六实施例的半导体装置 之制造方法的基板之一变化例的上视平面图。 图27为适用于本发明之第六实施例的半导体装置 之制造方法的基板之一变化例的底视平面图。 图28(a)及图28(b)为本发明之第六实施例的半导体装 置之制造步骤之一变化例的横剖面图。 图29为图28(a)及图28(b)所示之制造步骤的上视平面 图。 图30为适用于本发明之第六实施例的半导体装置 之制造方法的基板之另一变化例的上视平面图。 图31为习知半导体装置之第一实例的横剖面图。 图32为习知半导体装置之第二实例的横剖面图。 图33为习知半导体装置之第三实例的横剖面图。 图34(a)至图34(c)为习知半导体装置之制造方法的横 剖面图。 |
