METHOD FOR DEPOSITING COMPOUNDS ON A SUBSTRATE BY MEANS OF METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Verbindungen auf einem Substrat mittels metallorganischer Gasphasendeposition und einem ersten Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einem Metallorganikum sowie einem zweiten Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einer Gruppe V- oder Gruppe VI-Verbindung, wobei beide Gemische separat in eine MOCVD-Anlage geleitet werden. Das erste Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einem Metallorganikum wird erfindungsgemäss zwischen dem Substrat und dem zweite Gemisch aus mindestens einem Trägergas und mindestens einer Gruppe Voder Gruppe VI-Verbindung in die Anlage eingeleitet. Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass keine parasitäre Deposition an den Wänden der MOCVD-Anlage entstehen. Die Abscheidungsraten sind daher gegenüber verfahren aus dem bisherigen Stand der Technik erhöht.