发明名称 | 干蚀刻方法 | ||
摘要 | 使用CF<SUB>4</SUB>+O<SUB>2</SUB>气体作为蚀刻气体,通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105,利用等离子体蚀刻,对有机类防反射膜104进行蚀刻,据此,与以往相比,可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。 | ||
申请公布号 | CN1535474A | 申请公布日期 | 2004.10.06 |
申请号 | CN02813794.9 | 申请日期 | 2002.07.05 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 清水昭贵;鹤田敬;榎本隆;冈广实;高明辉 |
分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 1、一种干蚀刻方法,通过形成预定图案的掩模层,对有机类防反射膜进行蚀刻,其特征在于,通过使用含有CF4气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻,对所述有机类防反射膜进行蚀刻。 | ||
地址 | 日本东京都 |