| 发明名称 |
ION-IMPLANTATION AND SHALLOW ETCHING TO PRODUCE EFFECTIVE EDGE TERMINATION IN HIGH-VOLTAGE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1464079(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.06 |
| 申请号 |
EP20030731896 |
申请日期 |
2003.01.10 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
HUSSAIN, TAHIR;MONTES, M.C. |
| 分类号 |
H01L21/331;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/331;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/331 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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