发明名称 复数闸极电晶体之结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种复数闸极电晶体之结构及其制造方法,此结构包括一垂直半导体鳍状体、一闸极介电层、一闸极电极与一源极与一汲极。半导体鳍状体位于一基材上方,基材包括有覆盖于一蚀刻终止层上方之一第一绝缘层,第一绝缘层于半导体鳍状体底部形成一底切,闸极介电层位于半导体鳍状体表面,闸极电极位于闸极介电层表面,而源极与汲极分别座落于闸极电极两侧,而位于半导体鳍状体中。
申请公布号 TW200419802 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092118009 申请日期 2003.07.01
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨育佳;杨富量;胡正明
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号
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