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发明名称
半导体发光元件制作方法
摘要
一种半导体发光元件制作方法,该半导体发光元件包含一基板、及依序形成之一半导体材料层、一n型半导体层及一p型半导体层,本发明之方法主要系在基板及半导体材料层之间、或是半导体材料层及n型半导体层之间、或在n型半导体层及p型半导体层以蒸镀等方式形成有预定图案之内介层。因此所得发光元件具有非平面之上表面,可以降低全反射造成的光损失,提高发光效率。此内介层亦可以为导电材料以减少串接电阻,增加发光效率及元件寿命。
申请公布号
TW200419821
申请公布日期
2004.10.01
申请号
TW092105966
申请日期
2003.03.18
申请人
国联光电科技股份有限公司
发明人
蔡宗良;张智松;陈泽澎
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
谢宗颖;王云平
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路十号九楼
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