自对准闸极及其形成方法

摘要

本发明提供一种自对准闸极，其形成方法首先提供一形成有一对浮动闸极、一对间隙壁、一对绝缘间隙壁及一导电层之半导体基底；接着，于半导体基底极形成于其上之元件上顺应性形成一掺杂非晶矽层后利用电浆辅助化学气相沉积的方法形成一遮蔽层，掺杂非晶矽层之浓度大于一既定值，并平坦化掺杂非晶矽层及遮蔽层至露出导电层，且对间隙进行蚀刻至间隙壁之高度低于导电层;然后，于导电层及掺杂非晶矽层露出之表面上形成一氧化层，及去除遮蔽层后，以氧化层及间隙壁为蚀刻罩幕对掺杂非晶矽层进行非等向性蚀刻至露出半导体基底。