| 主权项 |
1.一种具有ONO层之半导体元件的制作方法,该制作方法包含有下列步骤:提供一半导体晶片,包含有一具有至少一第一区域以及一第二区域之基底,其中该第一区域包含有复数个电容下层储存电极(storage node)单元,该第二区域包含有一氧化层、一第一多晶矽层以及一第二多晶矽层;依序于该复数个电容下层储存电极单元以及该第二多晶矽层上形成一氧化-氮化-氧化(oxide-nitride-oxide, ONO)层,具有一上氧化层其厚度约为65埃(埃,);于该ONO层上形成一光阻层,且该光阻层仅覆盖该第一区域;去除未被该光阻层覆盖之该第二区域之该ONO层、该第二多晶矽层以及该第一多晶矽层;去除该光阻层;利用一缓冲式氧化层蚀刻液(buffer oxide etchant, BOE),以瀑布(cascade)冲洗方式清洗该半导体晶片,以去除该氧化层,同时去除一部份的该上氧化层;利用一SC-1溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片;以及利用一SC-2溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该第一区域以及该第二区域系由一浅沟绝缘(shallow trench isolation, STI)区域所隔离。3.如申请专利范围第1项的方法,其中各该电容下层储存电极单元皆由两层多晶矽层所构成。4.如申请专利范围第1项的方法,其中在利用一SC-2溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片之后,该方法另包含有下列步骤:进行一热氧化制程,以于该第二区域之该基底表面上形成一矽氧层;以及于该第一区域以及该第二区域上沈积一第三多晶矽层。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该SC-1溶液包含有NH4OH、过氧化氢以及水。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该SC-2溶液包含有HCl、过氧化氢以及水7.如申请专利范围第1项的方法,其中在利用该缓冲式氧化层蚀刻液(BOE),以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片之后,剩下的该上氧化层厚度约为60埃。8.如申请专利范围第1项的方法,其中该底氧化层的厚度约为43埃,且该氮化矽层的厚度约为62埃。9.一种降低微粒残留及缺陷的方法,该方法包含有下列步骤:提供一半导体晶片,包含有一具有至少一第一区域以及一第二区域之基底,其中该第一区域以及该第二区域之最上方覆盖有一闸介电层,且该第二区域之该闸介电层下方另包含有一氧化层、一第一多晶矽层以及一第二多晶矽层;于该闸介电层上形成一光阻层,且该光阻层仅覆盖该第一区域;去除未被该光阻层覆盖之该第二区域之该闸介电层、该第二多晶矽层以及该第一多晶矽层;去除该光阻层;利用一缓冲式氧化层蚀刻液(buffer oxide etchant, BOE),以瀑布(cascade)冲洗方式清洗该半导体晶片,以去除该氧化层;利用一SC-1溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片;以及利用一SC-2溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片。10.如申请专利范围第9项的方法,其中该闸介电层系由氧化-氮化-氧化(oxide-nitride-oxide, ONO)层所构成。11.如申请专利范围第9项的方法,其中该第一区域以及该第二区域系由一浅沟绝缘(shallow trenchisolation, STI)区域所隔离。12.如申请专利范围第9项的方法,其中该第一区域另包含有复数个电容下层储存电极(storage node)单元,且该闸介电层即覆盖于该复数个电容下层储存电极单元上。13.如申请专利范围第9项的方法,其中各该电容下层储存电极单元皆由两层多晶矽层所构成。14.如申请专利范围第9项的方法,其中在利用一SC-2溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片之后,该方法另包含有下列步骤:进行一热氧化制程,以于该第二区域之该基底表面上形成一矽氧层;以及于该第一区域以及该第二区域上沈积一第三多晶矽层。15.如申请专利范围第9项的方法,其中该SC-1溶液包含有NH4OH、过氧化氢以及水。16.如申请专利范围第9项的方法,其中该SC-2溶液包含有HCl、过氧化氢以及水。17.一种降低微粒残留及缺陷的方法,包含下列步骤:提供一半导体晶片,包含有至少一具有一第一区域以及一第二区域之基底,其中该第一区域以及该第二区域之最上方覆盖有一氧化-氮化-氧化(ONO)层,且该第二区域之该ONO层下方另包含有一氧化层、一第一多晶矽层以及一第二多晶矽层;于该ONO层上形成一光阻层,且该光阻层仅覆盖该第一区域;去除未被该光阻层覆盖之该第二区域之该ONO层、该第二多晶矽层以及该第一多晶矽层;去除该光阻层;利用一缓冲式氧化层蚀刻液(BOE),以瀑布(cascade)冲洗方式清洗该半导体晶片,以去除该氧化层;利用一SC-1溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片;以及利用一SC-2溶液,以瀑布冲洗方式清洗该半导体晶片。18.如申请专利范围第17项的方法,其中该第一区域另包含有复数个电容下层储存电极(storage node)单元,且该ONO层即覆盖于该复数个电容下层储存电极单元上。19.如申请专利范围第17项的方法,其中该SC-1溶液包含有NH4OH、过氧化氢以及水。20.如申请专利范围第17项的方法,其中该SC-2溶液包含有HCl、过氧化氢以及水。图式简单说明:图一至图五为根据习知技术制作具有ONO结构之半导体元件的方法示意图;以及图六至图十二为根据本发明制作具有ONO结构之半导体元件的方法示意图。 |
