| 主权项 |
1.一种发光二极体(LED)之制造方法,包括下列步骤;提供一半导体基板;磊晶成长第一限制层(confining layer)于该基板上;磊晶成长一作用层(active layer)于该第一限制层上;磊晶成长第二限制层于该作用层上;黏合(bonding)一透明视窗层于该第二限制层上,其系以晶圆黏合(wafer bonding)方式施行;移除该基板,其系在黏合视窗层之后以化学蚀刻施行;成长一保护层(passive layer),其系成长于该发光二极体之被移除基板侧;形成一金属电气焊垫,位于该透明视窗层上覆盖其一部份;以及形成另一金属电气焊垫,位于该保护层上覆盖其一部份。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中在该黏合视窗层步骤中提高温度,以获得较低之连接电阻。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中在该黏合视窗层步骤中施加压力至待黏合处,以达成均匀之黏合。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该视窗层之厚度系大于100微米。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中所使用之该保护层之材料为不含铝元素(Al)。6.一种发光二极体,包括;一半导体基板;一第一限制层,其系以磊晶方式成长在该基板上;一作用层,其系以磊晶方式成长在该第一限制层上;一第二限制层,其系以磊晶方式成长在该作用层上;一透明视窗层,其系为和该第二限制层材质相异之透明层,以晶圆黏合(wafer bonding)方式,黏合在该第二限制层上;一保护层(passive layer),其系以磊晶或镀膜方式成长于该发光二极体之被移除基板侧;一金属电气焊垫,位于该视窗层上覆盖其一部份;以及另一金属电气焊垫,位于该保护层上覆盖其一部份。7.如申请专利范围第6项之发光二极体,其中该透明视窗层之厚度系大于100微米。8.如申请专利范围第6项之发光二极体,其中该保护层所使用之材料不含铝元素(Al)。9.如申请专利范围第6项之发光二极体,其中该保护层为GaP,GaAsP,及ITO中之任一所构成。10.如申请专利范围第6项之发光二极体,其中该发光二极体之该作用层为一多重量子井(Multi-QuantumWell)结构。图式简单说明:第1图为显示将PN接面作用层及相关层成长于半导体基板上之发光二极体剖面图;第2图为显示将透明视窗层形成于第1图上之发光二极体剖面图;第3图为显示将半导体基板自第2图中移除后之发光二极体剖面图;第4图为显示将保护层形成于第3图中发光二极体晶片被移除基板侧之剖面图; |
