具有位于基底内之选择闸极的快闪记忆体单元及其制造方法

摘要

本发明系关于一种具有位于基底内之选择闸极的快闪记忆体单元及其制造方法，此快闪记忆体单元结构包括：一半导体基底；一浮置闸极，设置于上述半导体基底上；一字元线，沿一第一方向延伸并覆盖于浮置闸极及邻近之半导体基底上；一沟槽，设置于邻近上述字元线之一侧边之半导体基底内；一选择闸极，垂直地设置于上述沟槽内并部分覆盖于浮置闸极上；一源极，设置于邻近为字元线所覆盖之浮置闸极另一侧之半导体基底内；以及一汲极，设置于选择闸极下方之半导体基底内。