发明名称 | 预估目标晶片之金属内连线单位长度电容値之方法 | ||
摘要 | 一种预估目标晶片之金属内连线单位长度电容值之方法,目标晶片具有复数金属层,各金属层具有既定之金属线布局规则,包括下列步骤。首先,在形成目标晶片之前,预先取得目标晶片各金属层之布局设计参数,布局设计参数系包括晶片金属内连线布局供布线之层数、各金属线布线之金属线宽度、金属线之间的距离、金属线布线占各金属层布线通道比例,接着,根据布局设计参数而随机产生对应之模拟内连线布局,最后,根据模拟金属内连线布局使用特定电容抽取软体,取得各金属层间单位金属线长度之电容值。 | ||
申请公布号 | TW200419397 | 申请公布日期 | 2004.10.01 |
申请号 | TW092106927 | 申请日期 | 2003.03.27 |
申请人 | 智原科技股份有限公司 | 发明人 | 范振腾 |
分类号 | G06F17/50;H01L21/768 | 主分类号 | G06F17/50 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市科学工业园区力行一路十之二号 |