发明名称 预估目标晶片之金属内连线单位长度电容値之方法
摘要 一种预估目标晶片之金属内连线单位长度电容值之方法,目标晶片具有复数金属层,各金属层具有既定之金属线布局规则,包括下列步骤。首先,在形成目标晶片之前,预先取得目标晶片各金属层之布局设计参数,布局设计参数系包括晶片金属内连线布局供布线之层数、各金属线布线之金属线宽度、金属线之间的距离、金属线布线占各金属层布线通道比例,接着,根据布局设计参数而随机产生对应之模拟内连线布局,最后,根据模拟金属内连线布局使用特定电容抽取软体,取得各金属层间单位金属线长度之电容值。
申请公布号 TW200419397 申请公布日期 2004.10.01
申请号 TW092106927 申请日期 2003.03.27
申请人 智原科技股份有限公司 发明人 范振腾
分类号 G06F17/50;H01L21/768 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市科学工业园区力行一路十之二号