| 主权项 |
1.一种供具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 用之波长选择方法,此方法包含: 决定一或多个终止标准; 决定一或多个选择标准; 利用一或多个积体电路结构之输入绕射光谱及选 择标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 2.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择流程的终止标准包括测试是否选择的波长成 本函数値小于或等于预设成本函数値,选择的波长 成本函数値系由比较选择的波长光谱与全波长光 谱计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对结构之虚轮廓之模 拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置使用的波 长决定。 3.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择流程的终止标准包括测试是否选择的波长成 本函数値小于或等于预设成本函数値,选择的波长 成本函数値系由比较选择的波长光谱与一或多个 输入绕射光谱其中之一计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为积体电路结构建立 之绕射光谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长 光谱最符合者仅利用选择的波长决定。 4.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择流程的终止标准包括测试是否选择的波长的 适配度値等于或大于预设适配度値,选择的波长适 配度値系由比较选择的波长光谱与全波长光谱计 算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对结构之虚轮廓 之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选择的波长 决定,及 其中全波长光谱为量测装置对结构之虚轮廓之模 拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置使用的波 长决定。 5.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择流程的终止标准包括测试是否选择的波长的 适配度値等于或大于预设适配度値,选择的波长适 配度値系由比较选择的波长光谱与一或多个输入 绕射光谱其中之一计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为结构建立之绕射光 谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长光谱最符 合者仅利用选择的波长决定。 6.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中选择波 长的标准包括一或多个特征构造选择演算法。 7.如申请专利范围第6项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中一或多 个特征构造选择演算法包括集合覆盖特征构造选 择法、特征共变异分析、及奇异値分解法。 8.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中一或多 个输入绕射光谱包含有自晶圆中至少一个区域测 量之绕射光谱。 9.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中一或多 个输入绕射光谱包含有自假设晶圆中至少一个假 设区域模拟之绕射光谱。 10.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,其中设定选 择波长的标准更包含: 设定选择波长用之杂讯量标准。 11.如申请专利范围第10项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中实行 波长的选择更包含: 计算一或多个于晶圆中相同区域测量的绕射光谱 平均値;及 选择于晶圆中相同区域测量的绕射光谱为预设范 围之一或多个测量绕射光谱平均値之内的波长。 12.如申请专利范围第10项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中实行 波长的选择更包含: 计算一或多个于晶圆中相同区域测量的绕射光谱 平均値;及 排除具有测量的绕射光谱超过所有自晶圆中相同 区域测量的绕射光谱预设标准偏差数値之波长 。 13.如申请专利范围第1项之供具有虚轮廓之积体电 路结构之光学量测用之波长选择方法,更包含: 储存选择的波长、选择流程资讯、及结构识别资 讯,其中选择流程资讯包括终止标准及选择标准。 14.一种供具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 用之波长选择方法,此方法包含: 决定一或多个终止标准; 决定一或多个选择标准; 对一组在光学量测测量点测量的绕射光谱建立相 关矩阵,测量点相对应于指定波长,相关矩阵具有 如矩阵构件相关系数对应于测量点; 利用对积体电路结构之绕射光谱组、选择标准、 及波长选择演算法选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 15.如申请专利范围第14项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中选择 波长用之终止标准包括测试是否选择的波长成本 函数値小于或等于预设成本函数値,选择的波长成 本函数値系由比较选择的波长光谱与全波长光谱 计算而得,其中选择的波长光谱为量测装置对积体 电路结构之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱 仅利用选择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 16.如申请专利范围第14项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择流程的终止标准包括测试是否选择的波长成 本函数値小于或等于预设成本函数値,选择的波长 成本函数値系由比较选择的波长光谱与绕射光谱 组其中之一计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为积体电路结构建立 之绕射光谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长 光谱最符合者仅利用选择的波长决定。 17.如申请专利范围第15项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择波长用之终止标准包括测试是否选择的波长 的适配度値等于或大于预设适配度値,选择的波长 适配度値系由比较选择的波长光谱与全波长光谱 计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 18.如申请专利范围第15项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择波长用之终止标准包括测试是否选择的波长 的适配度値等于或大于预设适配度値,选择的波长 适配度値系由比较选择的波长光谱与绕射光谱组 其中之一计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为积体电路结构建立 之绕射光谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长 光谱最符合者仅利用选择的波长决定。 19.如申请专利范围第14项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中进行 选择步骤直到符合终止标准包括: 建立衍生自相关矩阵之对称二元矩阵,对称二元矩 阵具有値为一或零之构件, 其中将相关矩阵构件设定为一,若相关系数等于或 大于相关阈値,及 其中将相关矩阵构件设定为零,若相关系数小于相 关阈値;及 进行至少一次反覆选择波长相对应于在对称二元 矩阵中具有最多1的横排并将横排及对称二元矩阵 相对应之直列设为0,选择相对应于波长的横排及 直列,反覆选择波长持续直到对称二元矩阵构件皆 为零。 20.如申请专利范围第14项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,更包含: 储存选择的波长、选择流程资讯、及结构识别资 讯, 其中选择流程资讯包括选择波长用之终止标准及 波长选择标准。 21.一种供具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 用之波长选择方法,此方法包含: 决定一或多个终止标准; 设定一或多个选择波长之灵敏度标准,灵敏度标准 包括至少一次测量由结构轮廓变化引发之绕射光 谱变化; 利用一或多个对积体电路结构之输入绕射光谱及 选择标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 22.一种供具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 用之波长选择方法,此方法包含: 决定一或多个终止标准; 建立对一组输入绕射光谱之共变异矩阵,输入绕射 光谱包含在量测点的绕射资料,测量点相对应于指 定波长,共变异矩阵具有横排及直列,各横排包括 对分派至横排之一测量点绕射资料相对于对分派 至直列之一测量点绕射资料之共变异; 利用对积体电路结构之输入绕射光谱组及共变异 矩阵选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 23.如申请专利范围第22项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中选择 波长用之终止标准包括测试是否选择的波长成本 函数値小于或等于预设成本函数値,选择的波长成 本函数値系由比较选择的波长光谱与全波长光谱 计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 24.如申请专利范围第22项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中: 选择波长用之终止标准包括测试是否选择的波长 的适配度値等于或大于预设适配度値,选择的波长 适配度値系由比较选择的波长光谱与全波长光谱 计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 25.如申请专利范围第22项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,其中选择 波长步骤包括: 选择测量点符合共变异阈値;及 转变选择的测量点至相对应的选择波长。 26.如申请专利范围第22项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,更包含: 储存选择的波长、选择流程资讯、及结构识别资 讯, 其中选择流程资讯包括选择波长用之终止标准及 波长选择标准。 27.一种供具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 用之波长选择方法,此方法包含: 决定一或多个终止标准; 决定二或多个选择波长标准; 利用一组积体电路结构之输入绕射光谱及二或多 个选择波长标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准, 其中进行选择步骤包括: 活化基于选择波长符合杂讯选择标准之波长选择 演算法; 活化基于选择波长符合相关系数标准之波长选择 演算法; 活化基于选择波长符合讯号灵敏度标准之波长选 择演算法; 基于一或多个选择标准做最后波长之选择; 对终止标准测试最后波长之选择;及 调整一或多个波长选择标准。 28.如申请专利范围第27项之供具有虚轮廓之积体 电路结构之光学量测用之波长选择方法,更包含: 储存选择的波长、选择流程资讯、及结构识别资 讯, 其中选择流程资讯包括选择波长用之终止标准及 波长选择标准。 29.一种选择波长及利用选择的波长于具有虚轮廓 之积体电路结构之光学量测之方法,此方法包含: 选择光学量测用之波长,选择系基于一或多个选择 标准,将选择最佳化以符合终止标准; 撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长,绕射光 谱系自积体电路结构测量; 利用撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长决 定积体电路之一或多个临界尺寸,利用一或多种回 归技术决定一或多个临界尺寸。 30.如申请专利范围第29项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择光学量测用之波长包括选择一或 多种波长选择演算法; 其中选择演算法包括选择波长符合杂讯选择标准 、选择波长符合相关系数标准、及选择波长符合 讯号灵敏度标准。 31.一种选择波长及利用选择的波长于具有虚轮廓 之积体电路结构之光学量测之方法,此方法包含: 选择积体电路结构之光学量测用之波长,选择系基 于一或多个选择标准及终止标准; 建立模拟绕射光谱及相关轮廓之数据库,模拟绕射 光谱系利用选择的波长计算而得; 撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长,绕射光 谱系自积体电路结构测量; 由模拟绕射光谱及相关轮廓之数据库对测量的绕 射光谱选出最符合数据库绕射光谱;及 取得最符合数据库绕射光谱之相关轮廓的轮廓资 料。 32.如申请专利范围第31项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择光学量测用之波长包括: 决定终止标准; 决定选择标准; 利用一或多个积体电路结构之输入绕射光谱及选 择标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 33.如申请专利范围第32项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择波长用之终止标准包括测试是否 选择的波长成本函数値小于或等于预设成本函数 値,选择的波长成本函数値系由比较选择的波长光 谱与全波长光谱计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 34.如申请专利范围第32项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择波长用之终止标准包括测试是否 选择的波长成本函数値小于或等于预设成本函数 値,选择的波长成本函数値系由比较选择的波长光 谱与输入绕射光谱计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为积体电路结构建立 之绕射光谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长 光谱最符合者仅利用选择的波长决定。 35.如申请专利范围第32项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择波长用之终止标准包括测试是否 选择的波长的适配度値等于或大于预设适配度値, 选择的波长适配度値系由比较选择的波长光谱与 全波长光谱计算而得, 其中选择的波长光谱为量测装置对积体电路结构 之虚轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱仅利用选 择的波长决定,及 其中全波长光谱为量测装置对积体电路结构之虚 轮廓之模拟绕射光谱,模拟绕射光谱利用量测装置 使用的波长决定。 36.如申请专利范围第32项之选择波长及利用选择 的波长于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测 之方法,其中选择波长用之终止标准包括测试是否 选择的波长的适配度値等于或大于预设适配度値, 选择的波长适配度値系由比较选择的波长光谱与 输入绕射光谱计算而得, 其中选择的波长光谱为来自为积体电路结构建立 之绕射光谱数据库的最符合绕射光谱,选择的波长 光谱最符合者仅利用选择的波长决定。 37.一种供积体电路结构之光学量测用之波长选择 系统,此系统包含: 一绕射光谱光源,设置来提供一或多个输入绕射光 谱;及 一波长选择器,设置来决定一或多个终止标准及一 或多个选择标准,及设置来利用积体电路结构的一 或多个输入绕射光谱及选择标准选择波长直到符 合终止标准。 38.如申请专利范围第37项之供积体电路结构之光 学量测用之波长选择系统,其中绕射光谱光源为一 光学量测模拟器,设置来由指定结构轮廓模拟绕射 光谱。 39.如申请专利范围第37项之供积体电路结构之光 学量测用之波长选择系统,更包含: 一资料库,设置来储存选择的波长、选择流程资讯 、及结构识别资讯, 其中选择流程资讯包括选择波长用之终止标准及 波长选择标准。 40.如申请专利范围第37项之供积体电路结构之光 学量测用之波长选择系统,更包含: 一输入装置,设置来传达波长选择终止标准、选择 流程资讯、及结构识别资讯至波长选择器。 41.一种利用光学量测即时决定积体电路结构轮廓 资料之系统,此系统包含: 一光学量测系统,设置来测量计积体电路结构之绕 射光谱; 一资料库,设置来储存选择的波长、选择流程资讯 、及结构识别资讯; 一撷取器,设置来取得资料库及检索储存的选择波 长及来撷取相对应于选择波长之绕射光谱资料;及 一轮廓估算器,设置来利用撷取的绕射光谱资料及 决定积体电路结构之临界尺寸。 42.如申请专利范围第41项之利用光学量测即时决 定积体电路结构轮廓资料之系统,更包含: 一输入装置,设置来传达选择流程资讯及积体电路 结构识别资讯至撷取器。 43.一种用以建立及利用用于光学量测积体电路结 构选择之波长的数据库之系统,此系统包含: 一资料库,设置来储存选择的波长、选择流程资讯 、及积体电路结构识别资讯; 一光学量测模拟器,设置来自积体电路结构之假设 轮廓模拟绕射光谱及来建立绕射光谱及相关轮廓 之数据库; 一数据库,设置来含有绕射光谱及相关轮廓之数据 库; 一光学量测系统,设置来测量自积体电路结构之绕 射光谱;及 一撷取器,设置来取得资料库及由自光学量测系统 传达的资料撷取相对应于选择波长之绕射光谱资 料。 44.如申请专利范围第43项之用以建立及利用用于 光学量测积体电路结构选择之波长的数据库之系 统,更包含: 一轮廓运用伺服器,设置来由撷取器配对撷取的绕 射光谱并由数据库得到最符合者及决定积体电路 结构之临界尺寸、轮廓、及下面的膜厚度。 45.一种用于光学量测处理及模拟之选择波长系统, 此系统包含: 一波长选择器,设置来决定一或多个选择波长用之 终止标准、设定选择一或多个选择波长之标准;及 进行一或多次反覆选择波长,选择波长反覆持续直 到符合选择波长用之终止标准,各反覆选择波长利 用一或多个积体电路结构之输入绕射光谱及选择 波长标准;及 一或多个波长选择引擎连接至波长选择器,该一或 多个波长选择引擎设置来最适化波长选择符合一 或多个选择标准, 其中一或多个波长选择引擎包括一引擎利用集合 覆盖特征构造选择演算法、特征共变异分析演算 法、奇异値分解演算法、或其他特征构造选择演 算法。 46.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 决定一或多个终止标准; 决定一或多个选择标准; 利用一或多个积体电路结构之输入绕射光谱及选 择标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 47.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 决定一或多个终止标准; 决定一或多个选择标准; 对一组在光学量测测量点测量的绕射光谱建立相 关矩阵,测量点相对应于指定波长,相关矩阵具有 如矩阵构件相关系数对应于测量点; 利用对积体电路结构之绕射光谱组、选择标准、 及波长选择演算法选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 48.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 决定一或多个终止标准; 设定一或多个选择波长之灵敏度标准,灵敏度标准 包括至少一次测量由结构轮廓变化引发之绕射光 谱变化; 利用一或多个对积体电路结构之输入绕射光谱及 灵敏度标准选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 49.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 决定一或多个终止标准; 建立对一组输入绕射光谱之共变异矩阵,输入绕射 光谱包含在量测点的绕射资料,测量点相对应于指 定波长,共变异矩阵具有横排及直列,各横排包括 对分派至横排之一测量点绕射资料相对于对分派 至直列之一测量点绕射资料之共变异; 利用对积体电路结构之输入绕射光谱组及共变异 矩阵选择波长;及 进行选择步骤直到符合终止标准。 50.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 选择光学量测用之波长,选择系基于一或多个选择 标准,将选择最佳化以符合一或多个终止标准; 撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长,绕射光 谱系自积体电路结构测量;及 利用撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长决 定积体电路之一或多个临界尺寸,利用一或多种回 归技术决定一或多个临界尺寸。 51.一种电脑可读取储存媒体,其含有电脑可执行码 ,用于具有虚轮廓之积体电路结构之光学量测中以 选择波长,其系藉由指示电脑如下列操作: 选择积体电路结构之光学量测用之波长,选择系基 于一或多个选择标准及终止标准; 建立模拟绕射光谱及相关轮廓之数据库,模拟绕射 光谱系利用选择的波长计算而得; 撷取测量的绕射光谱相对应于选择的波长,绕射光 谱系自积体电路结构测量; 由模拟绕射光谱及相关轮廓之数据库对测量的绕 射光谱选出最符合数据库绕射光谱;及 取得最符合数据库绕射光谱之相关轮廓的轮廓资 料。 52.一种电脑可读取储存媒体,包括以下之储存资料 : 关于制程、晶圆、区域、及量测装置之识别资讯; 及 一或多组用于积体电路结构之光学量测中选择的 光谱, 其中各组选择的光谱相关于一或多个终止标准及 波长选择标准。 图式简单说明: 图1为一系统图,说明利用光学量测来测量自积体 电路周期性结构发出之绕射光谱。 图2为于晶圆中相同处不同量测之平均偏差曲线图 ,强调由于杂讯高及低波长之可重复性。 图3说明自IC结构发出之绕射光谱之余弦()曲线 图,显示对一波长范围内高正相关、高负相关、及 无相关之曲线图。 图4为选择光学量测用波长之模范方法的流程图。 图5为利用讯号对杂讯选择标准选择光学量测用波 长之模范方法的流程图。 图6为利用相关系数选择光学量测用波长之模范方 法的流程图。 图7为利用波长对结构参数改变之灵敏度选择光学 量测用波长之模范方法的流程图。 图8为利用共变异选择光学量测用波长之模范方法 的流程图。 图9为利用一或多个选择技术选择光学量测用波长 之模范方法的流程图。 图10为选择波长及利用选定的波长决定结构轮廓 资料之模范方法的流程图。 图11为于一个模范实施例中波长选择器的方块图 。 图12为于一个模范实施例中波长撷取器及轮廓估 算器的方块图。 图13为于一个模范实施例中利用选择的波长模拟 之光谱及轮廓之数据库的建立及利用之方块图。 图14为于一个模范实施例中执行一或多个演算法 以选择波长之波长选择器之方块图。 图15为于一个模范实施例中选定的波长资料库规 划表。 图16为于晶圆中不同处椭圆仪余弦()量测之相关 系数曲线图,说明波长间的相关性。 图17为于晶圆中不同处椭圆仪正切()量测之相关 系数曲线图,说明波长问的相关性。 图18为于晶圆中不同处椭圆仪余弦()量测之共变 异曲线图,说明波长间的共变异。 图19为于晶圆中不同处椭圆仪正切()量测之共变 异曲线图,说明波长间的共变异。 图20为利用选定的波长测量的光谱之最符合者的 余弦()曲线图对利用量测仪器商提供的波长之 完整光谱之最符合者的余弦()曲线图。 |
