| 发明名称 |
METHODS TO FORM DUAL GATES BY INCORPORATING METALS AND THEIR CONDUCTIVE OXIDES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG106095(A1) |
申请公布日期 |
2004.09.30 |
| 申请号 |
SG20020005626 |
申请日期 |
2002.09.17 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
WENHE LIN;MEI SHENG ZHOU;KIN LEONG PEY;SIMON CHOOI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/44 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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