| 发明名称 |
一种生长碳纳米管的方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种生长碳纳米管的方法，其包括步骤：a)选取金属基底，b)提供碳源气体，c)将所述金属基底表面氧化形成一氧化层，d)在氧化层上形成催化剂层，e)通入碳源气体，以CVD法生长碳纳米管，同时产生氢气将所述氧化层还原。本发明方法在金属基底表面形成氧化层，可避免金属基底对催化剂的不良影响，生长完成后将氧化层还原为金属，从而实现金属基底上生长碳纳米管之目的。 |
| 申请公布号 |
CN1532142A |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
| 申请号 |
CN03114036.X |
申请日期 |
2003.03.19 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
刘亮;范守善 |
| 分类号 |
C01B31/02;C30B28/12;C30B29/02 |
主分类号 |
C01B31/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种生长碳纳米管的方法，其包括步骤：a)选取金属基底，b)提供碳源气体，c)将所述金属基底表面氧化形成氧化层，d)在氧化层上形成催化剂层，e)通入碳源气体，生长碳纳米管，同时将所述氧化层还原。 |
| 地址 |
100084北京市海淀区清华大学物理系 |
