发明名称 |
ZnS-SiO<SUB>2</SUB>溅射靶及使用该靶形成了ZnS-SiO<SUB>2</SUB>相变化型光盘保护膜的光记录媒体 |
摘要 |
本发明涉及一种相对密度为90%以上的ZnS-SiO<SUB>2</SUB>溅射靶,其特征在于,使用将1-50摩尔%SiO<SUB>2</SUB>系玻璃粉末与其余的ZnS粉末均匀分散、混合的粉末烧结而成,所述的SiO<SUB>2</SUB>系玻璃粉末含有总计0.01-20重量%选自金属元素、硼、磷、砷或它们的氧化物的一种以上作为添加剂。通过能够以低成本稳定制造SiO<SUB>2</SUB>晶粒小、相对密度90%以上的靶,得到光盘保护膜形成用溅射靶,它能够进一步提高沉积的均匀性和提高生产率,并得到使用该溅射靶形成了ZnS-SiO<SUB>2</SUB>相变化型光盘保护膜的光记录媒体。 |
申请公布号 |
CN1533446A |
申请公布日期 |
2004.09.29 |
申请号 |
CN01822686.8 |
申请日期 |
2001.11.30 |
申请人 |
株式会社日矿材料 |
发明人 |
矢作政隆;高见英生 |
分类号 |
C23C14/34;G11B7/24;G11B7/26 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
王维玉;丁业平 |
主权项 |
1.一种相对密度为90%以上的ZnS-SiO2溅射靶,其特征在于,使用将1-50摩尔%SiO2系玻璃粉末与其余的ZnS粉末均匀分散、混合的粉末烧结而成,所述的SiO2系玻璃粉末含有总计0.01-20重量%选自金属元素、硼、磷、砷或它们的氧化物的一种以上作为添加剂。 |
地址 |
日本东京 |