| 发明名称 | 存储器及其制造方法以及集成电路和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度在0.1nm以上100nm以下的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。 | ||
| 申请公布号 | CN1169225C | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN99800177.5 | 申请日期 | 1999.01.26 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 野本和正;乔纳森·维斯特沃特;中越美弥子;堆井节夫;野口隆;森芳文;达拉姆·派尔·古赛恩 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种存储器，具备下述部分：由半导体构成的传导区；设置为与该传导区相邻的第1杂质区；设置为与该第1杂质区分开，且与上述传导区相邻的第2杂质区；由分散开来的多个微粒子构成，存储由上述传导区迁移来的电荷的存储区；设于该存储区和上述传导区之间的电荷可以迁移的隧道绝缘膜；用来分别控制上述存储区的电荷量和上述传导区的传导率的控制用电极；设于该控制用电极和上述存储区之间的控制用绝缘膜，上述存储区中的微粒子的面密度比在上述隧道绝缘膜中产生的构造性针孔的面密度高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||