发明名称 凸块制程
摘要 一种凸块制程,首先系提供一晶圆,该晶圆上具有复数个晶圆焊垫。接着,形成一黏着层于晶圆表面上,并移除晶圆焊垫上方以外之黏着层以形成图案化黏着层。之后,再依序形成阻障层与润湿层于图案化黏着层及晶圆表面上,并移除图案化黏着层上方以外之阻障层与润湿层以形成图案化阻障层与图案化润湿层。最后,于晶圆焊垫上方之图案化润湿层上形成多个凸块,再回焊该凸块。
申请公布号 TWI221334 申请公布日期 2004.09.21
申请号 TW092117867 申请日期 2003.06.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 洪清富
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 刘正格 台北市大同区重庆北路三段八十八号三楼之一
主权项 1.一种凸块制程,包含:提供一晶圆,该晶圆上具有复数个晶圆焊垫;形成一黏着层于该晶圆上;移除该等晶圆焊垫上方以外之该黏着层,以形成复数个图案化黏着层;形成一阻障层于该晶圆及该等图案化黏着层之上方,以同时覆盖该晶圆及该等图案化黏着层;形成一润湿层于该阻障层上;移除该等焊垫上方以外之该润湿层,以形成复数个图案化润湿层;及移除该等焊垫上方以外之该阻障层,以形成复数个图案化阻障层。2.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中更包含形成复数个凸块于该等焊垫上方之该等图案化润湿层上。3.如申请专利范围第2项所述之凸块制程,其中该等凸块系以网版印刷之方法形成。4.如申请专利范围第2项所述之凸块制程,其中该等凸块系以植球方式形成。5.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中移除该等焊垫上方以外之该黏着层之步骤,系包含:形成一光阻层于该黏着层上,并图案化该光阻层;以图案化之该光阻层为遮罩蚀刻该黏着层,以移除该等焊垫上方以外之该黏着层。6.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中更包含形成一图案化光阻层于该润湿层上方,并以该图案化光阻层为遮罩蚀刻该润湿层及该阻障层,以移除该等焊垫上方以外之该润湿层及该阻障层。7.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中更包含形成复数个凸块于该等焊垫上方,并以该等凸块为遮罩蚀刻该黏着层、阻障层及润湿层。8.如申请专利范围第7项所述之凸块制程,其中该等凸块系以电镀法形成。9.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中更形成一介电层于该晶圆表面与该黏着层间,且该介电层系暴露出该等晶圆焊垫。10.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该介电层之材质系包含聚亚醯胺(polyimide,PI)。11.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该介电层之材质系包含苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)。12.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该黏着层之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬所组成之族群中的一种材质。13.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该阻障层之材质系选自于由镍、镍钒合金、铬铜合金及镍钛合金所组成之族群中的一种材质。14.如申请专利范围第1项所述之凸块制程,其中该润湿层系包含铜金属层。15.如申请专利范围第2项所述之凸块制程,其中该等凸块包括锡铅凸块。16.如申请专利范围第2项所述之凸块制程,更包括进行一凸块回焊步骤。17.一种凸块制程,包含:提供一晶圆,该晶圆上具有复数个晶圆焊垫;形成一第一导电层于该晶圆上;图案化该第一导电层以形成复数个图案化第一导电层;形成一第二导电层于该晶圆及该等图案化第一导电层之上方,以同时覆盖该晶圆及该等图案化第一导电层;及图案化该第二导电层。18.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中图案化该第一导电层以移除该等晶圆焊垫上方以外之第一导电层,以形成复数个图案化第一导电层。19.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中图案化该第二导电层以移除该等焊垫上方以外之第二导电层,以形成复数个图案化第二导电层。20.如申请专利范围第19项所述之凸块制程,其中更包含形成复数个凸块于该等晶圆焊垫上方之该等图案化第二导电层上。21.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中移除该等晶圆焊垫上方以外之该第一导电层之步骤,系包含:形成一光阻层于该第一导电层上,并图案化该光阻层;以图案化之该光阻层为遮罩蚀刻该第一导电层,以移除该等焊垫上方以外之该第一导电层。22.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中更包含形成一图案化光阻层于该第二导电层上方,并以该图案化光阻层为遮罩蚀刻该第一导电层及该第二导电层,以移除该等晶圆焊垫上方以外之该第一导电层及该第二导电层。23.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中更包含形成复数个凸块于该等晶圆焊垫上方之图案化第一导电层上,并以该等凸块为遮罩蚀刻该第二导电层。24.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该等凸块系以网版印刷之方法形成。25.如申请专利范围第23项所述之凸块制程,其中该等凸块系以电镀法形成。26.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,其中该等凸块系以植球方式形成。27.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中该第一导电层之材质系选自于由钛、钛钨合金、铝及铬所组成之族群中的一种材质。28.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中该第二导电层之材质系选自于由镍、镍钒合金、铬铜合金、铜及镍钛合金所组成之族群中的一种材质。29.如申请专利范围第20项所述之凸块制程,更包括进行一凸块回焊步骤。30.如申请专利范围第17项所述之凸块制程,其中更形成一介电层于该晶圆表面与该第一导电层间,且该介电层系暴露出该等晶圆焊垫。图式简单说明:图1A为一方块流程图,显示习知凸块制程之方块流程。图1B为一方块流程图,显示另一习知凸块制程之方块流程。图2为为一习知凸块制程所形成之球底金属层之底切示意图。图3至图11为一凸块制程的流程剖面示意图,说明依照本发明第一较佳实施例之凸块制程。图12至图20为一凸块制程的流程剖面示意图,说明依照本发明第二较佳实施例之凸块制程。
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