| 主权项 |
1.一种流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置系用以喷射流体,且具有复数个流体腔以及用以分隔该等流体腔之复数个间隔部,而该等间隔部具有一特定几何形状,其中该流体喷射装置制造方法包括下列步骤:提供一基材;提供一光罩,具有一补偿图案;涂布(coating)一光阻层于该基材上;移转该补偿图案于该光阻层上,而决定复数个未蚀刻间隔部,该等未蚀刻间隔部系具有大于该特定几何形状之补偿几何形状;以及对该基材进行蚀刻(etching),使该基材经蚀刻后构成具有该特定几何形状之该等间隔部。2.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该移转补偿图案于光阻层上之步骤包括下列步骤:透过该光罩对该光阻层进行曝光;以及对该光阻层进行显影,而于该光阻层上形成复数个未蚀刻间隔部。3.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置更包括:一流体储存槽,用以储存该流体;一歧管,系连接该流体储存槽与该等流体腔,用以导引该流体由该流体储存槽分配至该等流体腔;复数个加热装置,分别位于对应的该等流体腔,用以加热该等流体腔内之该流体;一顶层结构,用以承载该等加热装置;以及复数个喷孔,分别连接于该等流体腔,用以喷射该等流体腔内之该流体。4.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有单晶结构之材料。5.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有非等向性蚀刻性质之材料。6.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该补偿几何形状系将该特定几何形状沿该基材之至少一晶格方向增加面积而构成之形状。7.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置制造方法,其中该蚀刻步骤系采用湿式蚀刻方式(wetetching)。8.一种流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置系用以喷射流体,且具有复数个流体腔以及用以分隔该等流体腔之复数个间隔部,而该等间隔部具有一特定几何形状,其中该流体喷射装置制造方法包括下列步骤:提供一基材;对该基材上预定之间隔部区域进行离子布植(ionimplanting);以及对该基材进行蚀刻,使该基材经蚀刻后构成具有该特定几何形状之该等间隔部。9.如申请专利范围第8项所述之流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置更包括:一流体储存槽,用以储存该流体;一歧管,系连接该流体储存槽与该等流体腔,用以导引该流体由该流体储存槽分配至该等流体腔;复数个加热装置,分别位于对应的该等流体腔,用以加热该等流体腔内之该流体;一顶层结构,用以承载该等加热装置;以及复数个啧孔,分别连接于该等流体腔,用以喷射该等流体腔内之该流体。10.如申请专利范围第8项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有单晶结构之材料。11.如申请专利范围第8项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有非等向性蚀刻性质之材料。12.如申请专利范围第8项所述之流体喷射装置制造方法,其中该蚀刻步骤系采用湿式蚀刻方式。13.如申请专利范围第8项所述之流体喷射装置制造方法,其中该进行离子布植步骤之离子系采用选自于硼离子、磷离子及砷离子所形成族群中之任一者以进行离子布植。14.一种流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置系用以喷射流体,且具有复数个流体腔及用以分隔该等流体腔之复数个间隔部,而该等间隔部具有一特定几何形状,其中该流体喷射装置制造方法包括下列步骤:提供一基材;提供一光罩,其具有一图案;涂布一光阻层于该基材上移转该图案于该光阻层上,而形成复数个间隔形状,该等间隔形状系大于该特定几何形状;以及对该基材进行蚀刻,使该基材经蚀刻后形成具有该特定几何形状之该等间隔部,且该等间隔部还至少具有一突出部,用以防止于喷射时相邻该流体腔产生相互干扰(cross talk)之现象。15.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该移转图案于光阻层上之步骤包括下列步骤:透过该光罩对该光阻层进行曝光;以及对该光阻层进行显影,而于该光阻层上形成复数个该间隔形状。16.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该流体喷射装置更包括:一流体储存槽,用以储存该流体;一歧管,系连接该流体储存槽与该等流体腔,用以导引该流体由该流体储存槽分配至该等流体腔;复数个加热装置,分别位于对应的该等流体腔,用以加热该等流体腔内之该流体;一顶层结构,用以承载该等加热装置;及复数个喷孔,分别连接于该等流体腔,用以喷射该等流体腔内之该流体。17.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有单晶结构之材料。18.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该基材系具有非等向性蚀刻性质之材料。19.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该补偿几何形状系将该特定几何形状沿该基材之至少一晶格方向增加面积而构成之形状。20.如申请专利范围第14项所述之流体喷射装置制造方法,其中该蚀刻步骤系采用湿式蚀刻方式。图式简单说明:第1图系显示习知流体喷射装置结构之示意图。第2a图与第2b图系显示习知矽晶圆非等向性蚀刻之结构之示意图。第3a图系显示第1图中习知流体喷射装置结构之间隔部产生过蚀刻之示意图。第3b图系显示第1图中习知流体喷射装置结构之间隔部产生蚀刻尖角之示意图。第4图系显示本发明第一形态之流体喷射装置制造之流程图。第5a图与第5b图系显示本发明一实施例之未蚀刻间隔部结构之补偿几何形状之示意图。第5c图与第5d图系显示第5b图之结构进行蚀刻后之示意图。第6a图与第6b图系显示本发明另一实施例之未蚀刻间隔部结构之补偿几何形状之示意图。第6c图与第6d图系显示第6b图之结构进行蚀刻后之示意图。第7a图与第7b图系显示本发明另一实施例之未蚀刻间隔部结构之补偿几何形状之示意图。第7c图与第7d图系显示第7b图之结构进行蚀刻后之示意图。第8图系显示本发明第二形态之流体喷射装置制造之流程图。第9a图系显示本发明一实施例之离子布植未蚀刻间隔部结构之示意图。第9b图系显示第9a图之结构进行蚀刻后之示意图。 |
