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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING NITRIDATION FOR REINFORCING SURFACE OF BARRIER LAYER
摘要
申请公布号 KR100450654(B1) 申请公布日期 2004.09.20
申请号 KR19970033244 申请日期 1997.07.16
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JUNG, JU HYEOK;PARK, IN SEON;LIM, HYEON SEOK;LEE, JU WON
分类号 H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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