一种具低电阻特性之沟渠式高功率半导体元件及制造方法

摘要

一种具低电阻特性之沟渠式高功率半导体元件及制造方法，该高功率半导体元件至少包含一基材、一基体区与一横跨此基体区之沟渠式闸极结构，其中于此基体区中形成有高功率半导体元件之源极区。