ZnO系半导体装置

摘要

为了提供具有稳定p型ZnO层之ZnO系半导体装置，用具有高浓度之氮原子掺杂ZnO薄膜。藉由制造稳定之p型ZnO层，即可与制作容易的n型ZnO层组合，或与不同组成的p型层或n型层组合，而能提供各种形态之ZnO系半导体装置。