| 摘要 |
一种半导体元件之制造方法，此方法系先于基底中形成井区后，于基底上形成罩幕层，再图案化罩幕层与基底，以于基底中形成第一开口。之后，进行启始电压调整步骤，并于第一开口内依序形成闸极介电层、第一导体层及第二导体层，且此第二导体层填满前述第一开口。接着，移除部分之第一导体层与第二导体层，使第一导体层与第二导体层之表面约略低于基底表面，而形成第二开口。之后，于第二开口中形成顶盖层，并移除罩幕层。再于第一导体层两侧之基底中形成源极／汲极区，并于基底上形成内层介电层。接着，以顶盖层为自行对准罩幕，于内层介电层中形成接触窗开口。 |
