半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明系藉由使用具有辐射线槽孔天线之电浆处理装置的电浆氮化法来形成矽氮化膜，并形成以矽氧化膜包夹该矽氮化膜之构造的ONO膜之后，再以抗蚀图案为遮罩进行离子注入，于记忆胞阵列区域形成位元线扩散层之后，再藉离子注入，以于矽氮化膜赋与晶格缺陷。藉此，可实现可在低温条件下形成高品质之氮化膜，并且利用该氮化膜作为具有可充分因应近来细微化和高积体化要求之电荷捕获功能之电荷捕获膜的高可靠性半导体记忆装置。