发明名称 半导体元件的制造方法
摘要 一种半导体元件的制造方法包括:首先,于含有一层介电层的晶圆表面形成一层图案化的二氧化矽玻璃层,再于二氧化矽玻璃层上均匀地沈积一层保护介电层。之后,图案化此保护介电层以形成侧壁保护层,再于二氧化矽玻璃层及侧壁保护层上形成低介电常数介电层。接着,平坦化并平坦化前述低介电常数介电层,以于低介电常数介电层中形成沟渠,再以铜金属填满沟渠。由于铜导线系于低介电常数介电层形成后制作,因此可以防止低介电常数介电层受到后续电浆蚀刻的剥蚀。
申请公布号 TW200418129 申请公布日期 2004.09.16
申请号 TW092105188 申请日期 2003.03.11
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 丁绍禹;梁永昌;刘国儒
分类号 H01L21/76;H01L21/768 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号