Verfahren zur Ausbildung von rückstandsfreien Hartmaskenelementen während eines Halbleiterbauelementherstellungsprozesses

摘要

Bei Halbleiterbauelementherstellungsprozessen, die die Ausbildung von Hartmaskenelementen 17, die Al¶2¶O¶3¶ enthalten, beinhalten, bleibt unerwünschtes Al¶2¶O¶3¶ zwischen den Hartmaskenelementen 17 zurück. Das unerwünschte Al¶2¶O¶3¶ enthält eine Schicht 9 aus Al¶2¶O¶3¶, die über die Oberfläche der Struktur 3, über der sie liegt, nicht homogen ist, und Al¶2¶O¶3¶ wird auf den Seiten der Hartmaskenelemente 17 abgeschieden. Es wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem alles derartige unerwünschte Al¶2¶O¶3¶ zwischen den Hartmaskenelementen 17 durch einen Naßätzschritt entfernt wird, bei dem das unerwünschte Al¶2¶O¶3¶ einer Ätzmittelflüssigkeit ausgesetzt wird, die das Al¶2¶O¶3¶ mit einer schnelleren Rate ätzt als andere Teile der Struktur. Durch diesen Schritt kann das unerwünschte Al¶2¶O¶3¶ im wesentlichen vollständig entfernt werden, ohne daß an jenen anderen Teilen der Struktur wesentliche Schäden hervorgerufen werden. Danach kann ein RIE-Ätzschritt durchgeführt werden, der Hartmaskenelemente 17 als eine Maske verwendet, ohne daß das unerwünschte Al¶2¶O¶3¶ den RIE-Ätzschritt behindert.