| 主权项 |
1.一种磁性记录方法,系对磁性记录媒体介经微小间隙并配置电极,在记录磁场之下藉由放电予以加热,使经由居礼温度以上的温度磁化于记录磁场方向而成。2.如申请专利范围第1项之磁性记录方法,其中前述电极为探针状电极。3.如申请专利范围第1项之磁性记录方法,其中前述磁性记录媒体为垂直磁性记录膜。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之磁性记录方法,其中前述电极系内含软磁性材料之碳奈管而成者。5.一种磁性记录读取方法,系对磁性记录媒体接近配置由已立设.层合有磁性电阻效应元件之内含软磁性材料的碳奈管而成之奈磁性探针电极,介经该磁性碳针电极并读取磁性记录而成。6.如申请专利范围第5项之磁性记录读取方法,其中前述磁性记录媒体为垂直磁性记录膜。7.一种磁性记录写入/读取方法,其特征在于对磁性记录媒体介经微小间隙并配置内含软磁性材料的碳奈管而成之奈磁性探针电极,在记录磁场之下藉由放电予以加热,使经由居礼温度以上的温度磁化于记录磁场方向并予磁性记录,立设.层合上述奈磁性探针电极于磁性电阻效应元件上,介经该磁性探针并读取磁性记录而成。8.一种可纯电气的随机存取之磁性记录记忆体,其特征在于对垂直磁性记录膜之一侧面,将内含软磁性材料之碳奈管而成的奈磁性碳针电极,立设于由配置写入磁化发生手段及写入字线,与读出/写入位线导体及读出字线而成的磁性电阻效应元件上,使该奈磁性碳针电极与读出/写入位线导体呈电气的导通,同时对上述磁性记录膜面介经微小间隙予以对向配置而成。图式简单说明:第1图系表示与本发明有关的磁性记忆体之1单位的基本构造图。第2图系本发明有关的磁性记忆体之写入模式的说明图:写入时(a)、写入结束时(b)。第3图系本发明有关的磁性记亿体之读出模式的说明图:磁性记录状态(a)、读出时(b)。第4图系本发明有关的大容量记忆体构成图:截面图(a)、电路构成图(b)。 |
