发明名称 直立式磁控溅镀装置
摘要 一种磁控溅镀装置,其包括有:一舱体;一方型金属靶(target)系设置于该舱体之前端;以及二磁铁系设置于该舱体之外侧,且移动于该金属靶背后之二侧。其中,该二磁铁系对称设置于该金属靶背后,可以相反之运动方向移动于该金属靶背后之二侧,也可以相同之运动方向移动于该金属靶背后之二侧。
申请公布号 TWI220905 申请公布日期 2004.09.11
申请号 TW089123964 申请日期 2000.11.13
申请人 瀚宇彩晶股份有限公司 发明人 邓敦和;王景昭
分类号 C23C14/54 主分类号 C23C14/54
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种直立式磁控溅镀(magnetron sputtering)装置,包括:一舱体;一方型金属靶(target)设置于该舱体之前端;以及二磁铁设置于该舱体之外侧,且移动于该金属靶背后之二侧,其中该二磁铁系以双向扫描之方式来增强磁场之强度。2.如申请专利范围第1项所述的磁控溅镀装置,其中该二磁铁系对称设置于该金属靶背后。3.如申请专利范围第1项所述的磁控溅镀装置,其中该二磁铁系以相反之运动方向移动于该金属靶背后之二侧。4.如申请专利范围第1项所述的磁控溅镀装置,其中该二磁铁系以相同之运动方向移动于该金属靶背后之二侧。5.如申请专利范围第1项所述的磁控溅镀装置,其中该磁控溅镀装置系应用于一显示器之玻璃基板的溅镀制程。图式简单说明:第1图系显示习知磁控溅镀装置之剖面示意图。第2图系显示第1图所示之磁铁与金属靶于方向AA'之相对位置的示意图。第3图系显示本发明之磁控溅镀装置的剖面示意图。第4图系显示第3图所示之磁铁与金属靶从BB'方向看去之相对位置的示意图。第5A图系显示本第4图所示之第一、第二磁铁之一种移动方式的示意图。第5B图系显示本第4图所示之第一、第二磁铁之另一种移动方式的示意图。
地址 台北市松山区民生东路三段一一五号五楼
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