| 主权项 |
1.一种发光二极体的制造方法,包括:选择一暂时性基板,以物理或化学方式将上述暂时性基板分割成彼此独立之单体区块;于该独立区块上成长一薄膜;于该薄膜上形成发光二极体;于发光二极体上形成第一电极;于第一电极上形成反射层;于反射层上形成黏合材料;选择一永久性基板,黏合该彼此独立的发光二极体于该永久性基板;移除暂时性基板;形成第二电极于薄膜表面上;及切割永久性基板。2.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述之暂时性基板及永久性基板可以选自导体、半导体、绝缘体其中之一或其组合。3.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述之暂时性基板及永久性基板的材料可以选自含有单层或双层之金属板、镀有单层或多层金属薄膜之基板、含有单种或多种之金属合金基板、镀有单种或多种金属合金薄膜之基板、以导电聚合物所形成之基板、矽(Si)、锗(Ge)、碳化矽(SiC)、矽化合物、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硒化锌(ZnSe)、氧化镁(MgO)、氧化铝镁(MgAlOx)、氧化锂镓(LiGaOx)、氧化锂铝(LiAlOx)钻石(C)形成之基板其中之一。4.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述分割独立区块方法的物理方式可以刀片划开、锯刀切开、雷射切割等机械方式划分切割,或采用化学方式可以用湿式蚀刻、乾式蚀刻。5.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块成长的薄膜可以是氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)氮化铝(AlN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)其中之一或其组合。6.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块之薄膜的成长方式可以由有机金属化学气相沈积仪、氢化物气相磊晶仪及分子束磊晶仪成长其中之一或其组合来成长。7.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块成长的薄膜可以是多面体、具有特定斜面的梯形体、圆柱体、圆锥体其中之一或其组合。8.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述黏合于永久性基板的物理方式可以用黏着剂、压力、热融合、热效应、凡得瓦力或采用化学方式。9.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中上述的黏合材料可以选自化合物、聚合物、单种或多种金属之组合。10.如申请专利范围第1项之发光二极体的制造方法,其中将上述暂时性基板移除的方式可以为物理研磨、机械切削、湿式蚀刻、乾式蚀刻或以雷射照射该暂时性基板与该半导体元件之介面,将该暂时性基板剥离。11.一种发光二极体的制造方法,包括:选择一暂时性基板,以物理或化学方式将上述暂时性基板分割成彼此独立之单体区块;于该独立区块上成长一厚膜;于该厚膜上形成发光二极体;于发光二极体上形成第一电极;选择一胶膜黏贴于发光二极体上;移除暂时性基板;形成第二电极于厚膜表面上;于第二电极上形成反射层。12.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述之暂时性基板可以选自导体、半导体、绝缘体其中之一或其组合。13.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述之暂时性基板的材料可以选自含有单层或双层之金属板镀有单层或多层金属薄膜之基板、含有单种或多种之金属合金基板、镀有单种或多种金属合金薄膜之基板、以导电聚合物所形成之基板、矽(Si)、锗(Ge)、碳化矽(SiC)、矽化合物、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、硒化锌(ZnSe)、氧化镁(MgO)、氧化铝镁(MgAlOx)、氧化锂镓(LiGaOx)、氧化锂铝(LiAlOx)、钻石(C)形成之基板其中之一。14.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述分割独立区块方法的物理方式可以刀片划开、锯刀切开、雷射切割等机械方式划分切割,或采用化学方式可以用湿式蚀刻、乾式蚀刻。15.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块成长的厚膜可以是氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化铝(AlN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)其中之一或其组合。16.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块之厚膜的成长方式可以由有机金属化学气相沈积仪、氢化物气相磊晶仪及分子束磊晶仪成长其中之一或其组合来成长。17.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块成长的厚膜厚度大于40微米。18.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中上述在独立区块成长的厚膜可以是多面体、具有特定斜面的梯形体、圆柱体、圆锥体其中之一或其组合。19.如申请专利范围第11项之发光二极体的制造方法,其中将上述暂时性基板移除的方式可以为物理研磨、机械切削、湿式蚀刻、乾式蚀刻或以雷射照射该暂时性基板与该半导体元件之介面,将该暂时性基板剥离。图式简单说明:图一为根据本发明于暂时性基板形成独立区块并形成一具有斜面的薄膜之截面图。图二为根据本发明形成一发光二极体、电极、反射层及黏合材料之截面图。图三为根据本发明黏合于永久性基板之截面图。图四为根据本发明移除暂时性基板并镀上电极之截面图。图五为根据本发明当具有斜面的薄膜厚度大于40微米,直接镀上电极之截面图。图六为根据本发明以胶膜固定发光二极体单体,移除暂时性基板之截面图。 |
