| 主权项 |
1.一种固态摄像元件,包括半导体基底;在半导体基 底的一个主面上彼此隔开一定的间隔平行排列的 多个通道区域;配置在多个通道区域的间隙中的多 个隔离区域;在所述半导体基底上,在与所述多个 通道区域交叉的方向上延伸配置的多个转移电极; 在所述多个转移电极上,沿着所述多个隔离区域配 置的多条电力供给线;在所述多个转移电极上,覆 盖所述多条电力供给线而层叠的透光性的绝缘膜; 以及具有比所述绝缘膜的折射率高、且层叠在所 述绝缘膜上的透光性的保护膜;其特征在于所述透 光性的绝缘膜在所述通道区域上的所述隔离区域 一侧,向着所述隔离区域,膜厚连续地变厚。 2.如申请专利范围第1项所述的固态摄像元件,其特 征在于所述透光性的绝缘膜在所述隔离区域上,向 着所述通道区域,膜厚连续地变薄。 3.一种固态摄像元件的制造方法,其特征在于:具有 在半导体基底的一个主面上彼此隔开一定的距离 平行配置多个通道区域,并且在所述多个通道区域 的间隙中形成多个隔离区域的第一步骤;在所述半 导体基底上,在与所述多个通道区域交叉的方向延 伸形成多个转移电极,并且在所述多个转移电极之 上,覆盖所述隔离区域地形成多条电力供给线的第 二步骤;以给定的膜厚在所述多个转移电极上层叠 透光性的绝缘膜的第三步骤;覆盖所述多条电力供 给线,在所述绝缘膜上形成沿着所述多个通道区域 延伸的罩幕图案的第四步骤;沿着所述罩幕图案对 所述绝缘膜进行非等向性蚀刻,使所述绝缘膜的膜 厚沿着所述多个通道区域变薄的第五步骤;对实施 了所述非等向性蚀刻的所述绝缘膜进行等向性蚀 刻,在所述通道区域上的所述隔离区域一侧,使所 述绝缘膜的膜厚向着所述隔离区域连续地变厚的 第六步骤;以及在所述半导体基底上残留的所述绝 缘膜上层叠比所述绝缘膜的折射率高的透光性的 保护膜的第七步骤。 4.如申请专利范围第3项所述的固态摄像元件的制 造方法,其特征在于所述第六步骤在所述隔离区域 上,使所述绝缘膜的膜厚向着所述通道区域连续地 变薄。 图式简单说明: 第1图为绘示本发明的实施例的剖视图。 第2图为绘示采用了本发明的构造时的光线跟踪仿 真的图。 第3图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第一步骤的剖视图。 第4图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第二步骤的剖视图。 第5图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第三步骤的剖视图。 第6图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第四步骤的剖视图。 第7图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第五步骤的剖视图。 第8图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第六步骤的剖视图。 第9图为绘示本发明的固态摄像元件的制造方法的 第七步骤的剖视图。 第10图为绘示习知的帧传输方式的固态摄像元件 概略结构的俯视图。 第11图为绘示摄像部的结构的俯视图。 第12图为绘示摄像部的结构的剖视图。 |
